Компания Navitas Semiconductor объявила о прорывной 20-летней ограниченной гарантии на свою технологию GaNFast – в 10 раз дольше, чем на обычные кремниевые, SiC или дискретные силовые полупроводники GaN – и важнейшем ускорителе для внедрения GaN на рынках центров обработки данных, солнечной энергии и электромобилей.

Гвинедд это полупроводниковая технология нового поколения, которая работает в 20 раз быстрее, чем устаревшие кремниевые чипы. Запатентованные Navitas микросхемы питания GaNFast™ объединяют в себе GaN power (FET) и GaN drive, а также управление, датчики и защиту. В результате получаются простые в использовании, высокоскоростные и высокопроизводительные блоки «цифровой ввод-вывод питания», которые обеспечивают до 3 раз более быструю зарядку при вдвое меньших размерах и весе и экономию энергии до 40% по сравнению с более ранними кремниевыми решениями.

Беспрецедентная 20-летняя ограниченная гарантия основана на целостном подходе Navitas к надежности продукции посредством проектирования, тестирования, определения характеристик и сертификации. Являясь пионером в области силовых микросхем GaN и одним из основателей отраслевого комитета по стандартам JEDEC JC-70.1 GaN, компания Navitas разработала запатентованное высокоскоростное производство и квалификационные испытания, чтобы установить новые стандарты надежности GaN.

“С отгруженным более чем 40 миллионами устройств, 174 миллиардами часов работы в полевых условиях и нулевыми сообщениями о сбоях, связанных с GaN, плюс 5,8 миллиарда эквивалентных часов тестирования устройств, Navitas теперь может предложить 20-летнюю гарантию на микросхемы GaNFast power”, — сказал Энтони Широ, вице-президент Navitas по качеству и устойчивому развитию. “Как мы описываем в нашем отчете об устойчивом развитии, каждый GaN IC экономит 4 кг CO₂ Таким образом, чем быстрее клиенты смогут внедрить GaN, тем лучше это будет для нашей окружающей среды. GaN мог бы сэкономить до 2,6 тонн CO₂ в год к 2050 году”.

Наличие специализированных центров проектирования для центров обработки данных и электромобилей, а также наличие мощных микросхем GaNFast power, высокое качество серийного производства Navitas и стремление к долгосрочной надежности ускоряют внедрение технологии GaN следующего поколения.

Оригинал пресс-релиза можно найти здесь здесь.

Этот пресс-релиз был первоначально опубликован на веб-сайте Navitas Semiconductor. Перепечатано с разрешения автора.