Проектировщики систем тяговых силовых установок (ТПУ), вспомогательных силовых установок (ВСУ), твердотельные трансформаторы (SSTs), промышленные моторные приводы а решения для энергетической инфраструктуры требуют технологии высоковольтной коммутации для повышения эффективности, уменьшения размера и веса системы и повышения надежности. Компания Microchip Technology Inc. объявила о расширении своего ассортимента SiC-транзисторов выпуском SiC-МОП-транзисторов напряжением 3,3 кВ, позволяющих разработчикам использовать преимущества прочности, надежности и производительности. С расширением ассортимента SiC от Microchip дизайнеры получают инструменты для разработки компактных, легких и более эффективных решений для электрифицированного транспорта, возобновляемых источников энергии, аэрокосмической промышленности и промышленного применения.

Многие конструкции на основе кремния достигли своих пределов в повышении эффективности, снижении стоимости систем и внедрении инноваций. Хотя высоковольтный SiC является проверенной альтернативой для достижения этих результатов, до сих пор доступность устройств питания SiC напряжением 3,3 кВ была ограничена. МОП-транзисторы Microchip 3,3 кВ и SBD-модули дополняют обширный портфель решений SiC компании, который включает в себя матрицы 700 В, 1200 В и 1700 В, дискреты, модули и драйверы цифровых вентилей.

Силовые устройства Microchip SiC напряжением 3,3 кВ включают МОП-транзисторы с самым низким в отрасли значением RDS (on) — 25 Мом и SBD с самым высоким в отрасли значением тока — 90 Ампер. Как МОП-транзисторы, так и SBD доступны в виде матрицы или упаковки. Эти новые уровни производительности позволяют проектировщикам упростить свой дизайн, создавать системы повышенной мощности и использовать меньшее количество параллельных компонентов для создания компактных, легких и более эффективных энергетических решений.

За последние три года компания Microchip запустила в производство сотни устройств и решений для питания SiC, гарантируя, что разработчики смогут подобрать правильное напряжение, ток и комплектацию, соответствующие их прикладным требованиям. Все МОП-транзисторы Microchip SiC и SBD разработаны с учетом уверенности клиентов и отличаются лучшей в отрасли прочностью и надежностью. Устройства компании основаны на ее ориентированной на потребителя практике устаревания, которая гарантирует, что устройства будут производиться до тех пор, пока они будут нужны клиентам, и Microchip сможет их производить.

Оригинал пресс-релиза можно найти здесьздесь.

Настоящий пресс-релиз был опубликован с согласия компании.