Компания Innoscience Technology анонсировала демонстрацию нового источника питания сверхвысокой плотности мощностью 140 Вт, в котором используются высоковольтные и низковольтные источники питания компании. ГаН ХЕМТ устройства для достижения КПД более 95% (230 В переменного тока; 5 В/28 А). Блок питания имеет размеры всего 60x60x22 мм (2,4 × 2,4 × 0,9 дюйма) и лучшую в своем классе плотность мощности — 1,76 Вт / см³ (29 Вт/дюйм³). Используя переключатели GaN как для высоковольтных, так и для низковольтных функций в этой конструкции, Innoscience максимизирует эффективность, а не ставит ее под угрозу с помощью кремниевых устройств с потерями. Это возможно благодаря экономичным производственным процессам и возможностям Innoscience в больших объемах.

Адаптер переменного/постоянного тока мощностью 140 Вт с частотой 300 кГц использует топологию CRM Totem Pole PFC + AHB. В него входят Innoscience INN650DA140A, GaN HEMT 650 В / 140 Мом в корпусе DFN 5×6 мм для коммутаторов S1 и S2, 650 В / 240 Мом, 8×8 мм DFN-модуль INN650D240A для S3 и INN650DA240A, устройство DFN 650 В / 240 Мом 5×6 мм для S4. S5 и S6 поставляются в комплекте по номеру INN150LA070A, элемент LGA 150 В / 7 моМ, 2,2 × 3,2 мм, входящий в линейку низковольтных GaN HEMT от Innoscience.

Эта конструкция, предназначенная для ноутбуков USB PD3.1 и электроинструментов, на целых 2% эффективнее кремниевых конструкций; это доказывает, чего можно достичь, если ГаН ФЕТс используются повсеместно, даже в относительно простом дизайне.

Основанная в декабре 2015 года, Innoscience является единственной IDM-компанией в мире, которая может массово производить как высоковольтные, так и низковольтные GaN-устройства. Компания Innoscience обладает собственной технологией изготовления с использованием одного штампа и крупнейшими в отрасли мощностями по производству 8-дюймовых пластин GaN-on-Si. На потребительском рынке продукты для быстрой зарядки привели к внедрению технологии GaN. Сегодня многие другие рынки также начинают использовать GaN, ускоряя рост Innoscience.

Оригинал пресс-релиза можно найти здесьздесь.

Настоящий пресс-релиз был опубликован с согласия компании.