Компания Ampleon объявила о выпуске двух новых широкополосных транзисторов GaN-on-SiC HEMT в классах мощности 30 Вт CLF3H0060(S)-30, 100 Вт CLF3H0035(S)-100. Эти устройства с высокой линейностью являются первыми продуктами нашего поколения 3 GaN-SiC Процесс HEMT недавно прошел квалификацию и запущен в производство.

Устройства предлагают функции широкополосной связи с высокой линейностью при настройках с низким смещением для повышения уровня производительности широкополосной связи (интермодуляционные продукты третьего порядка менее -32 дБц при 5 дБ и менее -42 дБц при 8 дБ при снижении насыщенной мощности в полосе пропускания 2:1). Широкополосная линейность жизненно важна для частотно-зависимых радиостанций, используемых в современной оборонной электронике для обработки многорежимных сигналов связи (от фм через QAM-сигналы высокого порядка) с одновременным применением каналов противодействия. Для этих требовательных приложений требуются транзисторы с изначально лучшей линейностью широкополосного доступа. Основываясь на отзывах рынка, транзисторы Ampleon поколения 3 GaN-on-SiC HEMT отвечают этим расширенным требованиям к линейности широкополосного доступа.

Кроме того, транзисторы поколения 3 заключены в термически усиленный корпус, который обеспечивает надежную работу и чрезвычайно высокую устойчивость к КСВН до 15:1 для устройства мощностью 30 Вт. Надежность распространяется на работу класса А, характерную для измерительных приборов с насыщенными режимами работы затвора, при сохранении линейности в широком динамическом диапазоне при расширенных частотных диапазонах. Транзисторы Ampleon поколения 3 GaN-on-SiC HEMT устанавливают новый стандарт технологии GaN с высокой линейностью для широкополосных приложений, сохраняя при этом отличные тепловые характеристики и прочность.