Компания Navitas Semiconductor опубликовала свой первый годовой отчет об устойчивом развитии. Наряду с подробным описанием целей и прогресса корпоративных инициатив по сокращению собственных выбросов парниковых газов, в Отчете об устойчивом развитии за 2021 год подчеркивается, как GaN компании (Нитрид галлия) технология поддерживает глобальные амбиции по нулевому выбросу углерода, сокращая выбросы CO2 клиентами Navitas и ускоряя переход от ископаемого топлива к возобновляемые источники энергии источники.

Отчет включает оценку жизненного цикла технологии GaN третьей стороной (LCA) в соответствии с ISO14040/14044, международным стандартом оценки воздействия на окружающую среду на протяжении всего жизненного цикла продукта — от приобретения сырья до производства, использования, обработки по истечении срока службы, вторичной переработки и окончательной утилизации. Отчет Navitas также количественно оценивает воздействие корпоративных парниковых газов (ПГ) с помощью 3^рд— партийные оценки.

Металлический галлий образуется в качестве побочного продукта при выплавке алюминия, а азот легко доступен в нашей атмосфере, поэтому нитрид галлия имеет минимальное количество CO материального происхождения.₂ занимает мало места, легко добывается и имеет низкую стоимость. Нитрид галлия также нетоксичен и не вызывает проблем с содержанием конфликтных минералов. И хотя GaN является передовым полупроводниковым материалом с «широкой запрещенной зоной», силовые микросхемы GaN могут быть изготовлены с использованием более старого, хорошо зарекомендовавшего себя и доступного оборудования для обработки CMOS (350 нм). В результате производство устройств GaN сегодня обеспечивает в 3-5 раз большую производительность для данного комплекта оборудования по сравнению с традиционными устройствами silicon power.

Нитрид галлия работает в 20 раз быстрее, чем устаревший кремний, и обеспечивает в 3 раза большую мощность и в 3 раза более быструю зарядку при вдвое меньших размерах и весе. Микросхемы питания GaNFast™ от Navitas интегрируют питание GaN и привод, а также защиту и управление, обеспечивая простую, компактную, быструю и эффективную работу. Благодаря передовым характеристикам материалов и запатентованному Navitas набору для проектирования технологических процессов AllGaN микросхемы GaN power намного меньше кремниевых чипов и имеют в 4-10 раз меньший расход CO₂ занимаемая площадь для производства и отгрузки. Высокоэффективные и высокоскоростные приложения, использующие микросхемы GaN power, меньше по размеру, легче и потребляют меньше материала и энергии, чем кремниевые системы.