600007 г. Владимир, ул. 16 лет Октября, д. 68А, литер "Ф", этаж 2, помещение 12
+7 (4922) 53-10-31
info@skb-proton.ru

Низкоомный демпфирующий шунт для высоких импульсных нагрузок

Технологии силовой преобразовательной техники

В случае операций быстрого переключения в силовой электронике, например, в автомобильный сектор, пики напряжения могут вызывать индуктивности. Чтобы ослабить эти пики напряжения, используется так называемый RC-демпфер1. шунт может быть использован. Компания Isabellenhütte разработала мощный низкоомный демпфирующий шунт SMT-V, который обладает особенно высокой номинальной импульсной мощностью.

RC-элемент состоит из резистора (R) и конденсатора (C), которые соединены последовательно. Резистор используется для преобразования энергии, отводимой от конденсатора, в тепло. Демпферы используются в сочетании с силовыми реле, контакторами, тиристорами/симисторными преобразователями, IGBT, МОП-транзисторами или биполярными транзисторами. Для точного управления двигателями используются специальные IGBT, симисторы и МОП-транзисторы. Для обеспечения этого требуются очень быстрые операции переключения IGBT и MOSFET-транзисторов.

SMT-V, разработанный Isabellenhütte, имеет низкое значение сопротивления — 17,5 Мом и очень маленькую компактную конструкцию. Он основан на существующем токоизмерительном резисторе SMT, который благодаря очень большим катушкам Cu обеспечивает очень хороший отвод тепла от соответствующего компонента и уже обладает высокой импульсной мощностью и долговременной стабильностью. Однако конструкция и материал нового SMT-V были адаптированы таким образом, чтобы они могли лучше выдерживать эту конкретную импульсную нагрузку. Разработка была основана на запросе заказчика, поскольку на рынке не было доступно ни одного подходящего стандартного компонента с таким значением сопротивления. Этот демпфирующий шунт не используется для измерения тока, а скорее предназначен специально для поглощения высоких импульсных нагрузок.

Высокая номинальная мощность импульсов достигается за счет использования собственного резистивного материала NOVENTIN®, удельное сопротивление которого почти в два раза выше, чем у MANGANIN®, используемого в резисторах для измерения тока. Базовая структура компонента была сохранена. Был оптимизирован только дизайн пленки и соответствующим образом подобран износостойкий материал. Это делает возможными значительно более высокие импульсные нагрузки и потери мощности на резисторе.