Компания Innoscience Technology анонсировала INN40W08, двунаправленный транзистор с высокой подвижностью электронов (HEMT) в режиме усиления GaN-on-Si напряжением 40 В для мобильных устройств, включая ноутбуки и сотовые телефоны. HEMT INN40W08 был разработан с использованием передовой технологии компании InnoGaN, которая отличается сверхнизким сопротивлением.

Обладая возможностью двунаправленной блокировки, новый INN40W08 Гвинедд HEMTs имеют сверхнизкое сопротивление — всего 7,8 Мом. Это достигается благодаря передовой запатентованной компанией InnoGaN технологии слоя для усиления деформации, которая снижает сопротивление листа на 66%. Заряд затвора (QG) обычно составляет 12,7 нС. Размер упаковки для измерения уровня чипов на пластинах с сеткой 5 × 5 (WLCSP) составляет всего 2 × 2 мм. Такая небольшая площадь позволяет интегрировать GAN-модули INN40W08 в мобильные телефоны. Приложения включают переключение высокой боковой нагрузки, защиту от перенапряжения в USB-порту смартфона и несколько источников питания, включая зарядные устройства и адаптеры. Технология GaN от Innoscience позволяет создавать эффективные и более компактные системы защиты от перенапряжения (OVP), заменяя 2 Кремниевые МОП-транзисторы с 1 транзистором InnoGaN (или BiGaN). Это экономит общие затраты на OVP и делает модуль OVP меньше, что очень важно, учитывая ограниченность пространства на печатной плате мобильного телефона.