Технологии Infineon расширяет семейство МОП-транзисторов CoolSiC из карбида кремния (SiC) устройствами с напряжением 650 В в бессвинцовой упаковке (ПЛАТНОЙ). Новые МОП-транзисторы SiC являются дополнением к обширному портфолио CoolSiC от Infineon и предназначены для таких приложений, как SMPS для серверов, телекоммуникационной инфраструктуры, систем хранения энергии и решений для формирования аккумуляторных батарей. Они также разработаны с учетом минимальных потерь, максимальной надежности и простоты использования.

Высокопроизводительный траншейный источник питания CoolSiC мощностью 650 В наилучшим образом подходит для различных целевых применений. так МОП-транзисторы доступны в очень широком ассортименте. Новая серия предлагается в платной комплектации, соответствующей требованиям JEDEC, с низкой паразитной индуктивностью, что обеспечивает автоматизированную сборку, более высокую частоту переключения, меньшие потери при переключении и улучшенное управление температурой. Малый форм-фактор позволяет эффективно использовать пространство на плате, позволяя разработчикам систем достигать выдающейся плотности мощности.

Прохладный напиток МОП-транзисторы 650 В — лучший вариант для топологий с частой жесткой коммутацией, поскольку они демонстрируют исключительную надежность даже в сложных условиях. За счет снижения теплового сопротивления (R_th) и тепловое сопротивление (Z_th), инновационный.Технология подключения XT еще больше улучшает тепловые характеристики устройств. Новые устройства также имеют самый прочный на рынке оксид затвора (GOX), надежный диод корпуса и пороговое напряжение затвора (В_GS(th)) более 4 В для защиты от паразитного включения, что приводит к невероятно низкой частоте подгонки (отказов во времени).

Новая линейка обеспечивает широкий интервал движения в_gs напряжение в диапазоне от -5 В (выключение) до 23 В (включение), тогда как напряжение отключения (В_{GS(выкл.)}) 0 В обычно рекомендуется для упрощения схемы возбуждения (однополярное возбуждение). Это гарантирует простоту использования, совместимость с другими SiC-МОП-транзисторами и совместимость с обычными микросхемами управления затвором MOSFET. Это приводит к снижению затрат на систему и производство, а также к более быстрому выводу на рынок. Это сочетается с повышенной надежностью, снижением сложности системы и возможностью автоматизированной сборки.