Два новых полевых транзистора GaN с радиационной стойкостью и напряжением 40 В были представлены компанией Эффективное преобразование энергии (EPC). EPC7001 — это напряжение 40 В, 4 Мом, 250 А_{Пульсирующий}, радиально-твердый GaN-полевой транзистор с компактным 7-миллиметровым² занимаемая площадь, в то время как EPC7002 рассчитан на напряжение 40 В, 14,5 Мом, 62 А_{Пульсирующий}, закаленный радиацией Гвинедд Полевой транзистор с крошечным размером 1,87 мм² след.

Оба устройства классифицируются как имеющие суммарную дозу излучения более 1000 К Рад (Si) и невосприимчивость к LET 83,7 МэВ/мг/см² с VDS до 100% номинального пробоя. Эти новые устройства выпускаются в упаковке с чипсетом, как и остальные устройства семейства Rad Hard.

Для обеспечения высокой надежности и применения в космосе полевые транзисторы и микросхемы eGaN от EPC являются более производительной альтернативой традиционным кремниевым устройствам с радиационной стойкостью. Устройства Rad hard silicon значительно крупнее устройств Rad hard от EPC, которые также стоят дешевле в целом и обладают электрическими характеристиками в 40 раз лучше. Кроме того, по сравнению с обычными кремниевыми решениями устройства rad hard от EPC демонстрируют улучшенную радиационную стойкость, поддерживая более высокие общие дозы облучения и уровни летучести.

Области применения, которые выигрывают от эффективности и быстрого развертывания этих компонентов, включают ионные двигатели для использования в космосе, лидары, глубинные зонды и ПОСТОЯННЫЙ ток-DC силовые преобразователи. Они особенно подходят для систем авионики и спутников, работающих как на геосинхронных, так и на низких околоземных орбитах (LEO и GEO).