Richardson Electronics, Ltd. объявляет о поступлении в продажу SemiQ 2-го поколения карбид кремния выключатели питания, МОП-транзисторы SiC напряжением 1200 В 80 Мом. Эти МОП-транзисторы дополняют существующий SiC от SemiQ выпрямители при напряжении 650В, 1200В и 1700В.

Компания SemiQ разработала два новых МОП-транзистора, GP2T080A120U (TO-247-3L) и GP2T080A120H (TO-247-4L), чтобы обеспечить наилучшее соотношение потерь на проводимость и коммутацию. Эти новые продукты предоставляют разработчикам большую гибкость в более широком спектре применений по сравнению с другими устройствами, представленными на рынке. Образцы предоставляются по запросу; пожалуйста, свяжитесь с представителем Richardson Electronics.

МОП-транзисторы SiC обеспечивают высокую эффективность в высокопроизводительных приложениях, включая электромобили, источники питания и центры обработки данных, и специально разработаны и протестированы для надежной работы в экстремальных условиях. По сравнению с устаревшими кремниевыми IGBT, МОП-транзисторы SemiQ переключаются быстрее с меньшими потерями, обеспечивая преимущества на системном уровне за счет уменьшения размера, веса и требований к охлаждению.

“Компания SemiQ сделала все возможное, продолжая инвестировать в эту широкополосную технологию”, — заявил Грег Пелоквин из Richardson, исполнительный вице-президент группы энергетических и микроволновых технологий. “Добавление их технологии МОП-транзисторов из карбида кремния позволяет расширить возможности создания спроса в ряде областей применения”.

Richardson Electronics предоставляет решения и повышает ценность за счет поддержки проектирования, системной интеграции, проектирования прототипов, производства, тестирования, логистики, а также послепродажного технического обслуживания и ремонта по всему миру.

“Поскольку наш портфель МОП-транзисторов SiC продолжает расти, мы ценим поддержку команды Richardson Electronics. Они знают клиентов, приложения и наши устройства SiC”, — заявил Майкл Т. Робинсон, президент и генеральный менеджер SemiQ Inc.