STM Микроэлектроника начато серийное производство устройств PowerGaN HEMT (транзистор с высокой подвижностью электронов) в электронном режиме, которые упрощают проектирование высокоэффективных систем преобразования энергии. GaN-транзисторы STPOWER™ улучшают производительность различных приложений, включая настенные адаптеры, зарядные устройства, системы освещения, промышленные источники питания, приложения, использующие возобновляемые источники энергии, и электрификацию автомобилей.

SGT120R65AL и SGT65R65AL — это сертифицированные в промышленности устройства G-HEMTTM с нормальным напряжением 650 В, размещенные в корпусе PowerFLAT 5 × 6 HV для поверхностного монтажа. Они имеют соответствующие характеристики по току 15А и 25А, с типичными сопротивлениями включения 75 Мом и 49 Мом при 25°C. Кроме того, суммарный заряд затвора составляет 3nC и 5,4nC, а также низкие паразитные емкости обеспечивают минимальные потери энергии при включении/выключении. Подключение источника по шкале Кельвина максимизирует мощность привода затвора. В дополнение к уменьшению размеров и веса источников питания и адаптеров, два новых GaN-транзистора обеспечивают повышенную эффективность, более низкую рабочую температуру и более длительный срок службы.

В ближайшие месяцы ST представит новые варианты PowerGaN, то есть устройства, предназначенные для автомобильной промышленности, а также дополнительные комплектации для приложений с высокой мощностью, включая PowerFLAT 8×8 DSC и LFPAK 12×12.

Устройства G-HEMT компании ST облегчают переход на GaN широкополосный технология преобразования энергии. GaN-транзисторы с тем же напряжением пробоя и RDS (вкл.), что и кремниевые альтернативы, могут достигать более низкого суммарного заряда затвора и паразитных емкостей, не требуя при этом заряда для обратного восстановления. Эти характеристики повышают эффективность и быстродействие коммутации, обеспечивая более высокую частоту переключения, что позволяет использовать пассивные компоненты меньшего размера, тем самым увеличивая плотность мощности. Следовательно, приложения могут становиться более компактными по мере повышения их эффективности. Ожидается, что в будущем GaN будет способствовать внедрению новых топологий преобразования мощности, что еще больше повысит эффективность и снизит потери электроэнергии.

ST располагает высокими производственными мощностями для дискретной продукции PowerGaN, чтобы удовлетворить спрос клиентов на быстрый переход к массовому производству. Теперь доступны модели PowerFLAT 5×6 HV SGT120R65AL и SGT65R65AL.