Полупроводниковый магнитный чип объявлено о выпуске четырех новых полевых транзисторов MXT LV металл-оксид-полупроводник (MOSFET), использующих технологию сверхкоротких каналов. Новые устройства еще больше расширяют семейство МОП-транзисторов Magnachip седьмого поколения MXT LV для схем защиты аккумуляторов мобильных устройств.

Новейшая технология проектирования Magnachip, известная как Super-Short Channel, направлена на снижение Ron (сопротивления МОП-транзисторов, когда они работают во включенном состоянии) за счет уменьшения длины канала, проходящего между источником и стоком. По сравнению с предыдущими поколениями МОП-транзисторов, Ron этих новых МОП-транзисторов был снижен на 24-40%; как следствие, повысилась производительность батарей и значительно сократилось количество энергии, теряемой при зарядке или разрядке батарей.

Кроме того, Magnachip предлагает специализированные услуги по проектированию этих продуктов, которые учитывают требования области применения, а также емкость аккумуляторов; в результате размеры МОП-транзисторов могут быть уменьшены от 5 до 20%.

Благодаря этим техническим возможностям, гибкому дизайну и небольшому выбору размеров расширенная линейка МОП-транзисторов MXT LV удовлетворяет разнообразные технические потребности широкого спектра мобильных устройств, начиная от складных телефонов премиум-класса и заканчивая беспроводными наушниками. Это включает в себя возможность поддерживать Сети 5G.

МОП-транзистор MXT LV (Magnachip eXtreme Trench Low Voltage MOSFET) — это ультрасовременный ассортимент продукции Magnachip, состоящий из траншейных МОП-транзисторов напряжением 12 ~ 40 В, доступных в корпусе WLCSP или на пластинах.

Основными характеристиками продукта являются следующие:

• 7^th– поколение силиконовая траншея технология
• Уменьшенный R_напримерно на 24%~40% по сравнению с предыдущими поколениями
• Повышенная скорость переключения за счет низкого общего заряда затвора
• Выдающиеся тепловые свойства
• Решения для широкого спектра мобильных устройств.