Технология GaN с радостью внедряется в аудиосистему, позволяя компаниям выпускать аудиосистемы с лучшим звучанием, более высокой производительностью, меньшими размерами и более привлекательными для глаз. А GaN Systems упрощает использование преимуществ GaN благодаря внедрению усилителя GeN2 и эталонной конструкции SMPS.
Компания GaN Systems выпустила усилитель GeN2 и сопутствующий ему источник питания эталонный дизайн. Это решение оптимизировано с точки зрения качества звука, тепловых характеристик, размера и стоимости. Оценочный комплект включает в себя 2-канальный аудиоусилитель класса D мощностью 200 Вт на канал (8 Ом) с КПД 96% и сопутствующий SMPS с непрерывной мощностью 400 Вт и пиковой мощностью 550 Вт. Это позволяет инженерам по аудиодизайну быстрее создавать аудиопродукты премиум-класса, сокращая время вывода на рынок и по доступным ценам.
Этот эталонный дизайн GeN2 отличается уменьшением общего размера блока питания на 20%. Он имеет более высокий уровень защиты при более низких нагрузках на усилитель с полным сопротивлением и обеспечивает лучшую терморегулирование в результате температура снижается на 10°C. В дополнение к этим огромным улучшениям GeN2 также снижает стоимость спецификации.
Поскольку развлечения, музыка и информация становятся все более важной частью всех аспектов нашей жизни, а потребление аудио достигло небывало высокого уровня, высококачественный звук теперь является “обязательным” во всех аудиосегментах. Аудиосистемы класса D с технологией GaN обеспечивают лучшее качество звука и являются компактными и легкими.
Эталонный дизайн GeN2 позволяет инженерам-проектировщикам разработать конструкцию без радиатора, с автономным питанием (от линейного входа переменного тока), не требующую внешних источников постоянного тока, и платы меньшего размера благодаря высокому уровню интеграции контроллера и DSP.
Эталонная конструкция обеспечивает высокую эффективность в широком диапазоне нагрузок с использованием GaN-транзисторов и передовых методов управления. Разработчики могут быстро увеличить мощность с помощью выбора магнитных элементов и GaN-транзисторов.
Свежие комментарии