Infineon Technologies представила диод Шоттки CoolSiC 650 В G6. Эта новейшая разработка в семействе диодов CoolSiC основана на отличительных характеристиках G5, обеспечивая надежность, качество и повышенную эффективность. Диоды CoolSiC G6 являются идеальным дополнением к семействам CoolMOS 7 напряжением 600 В и 650 В. Они нацелены на текущие и будущие приложения в области питания серверов и ПК, телекоммуникационного оборудования и фотоэлектрических инверторов.

Диод Шоттки CoolSiC 650 В G6 имеет новую компоновку, новую структуру ячейки и новую фирменную металлическую систему Шоттки. Результатом является отраслевой эталон Vf (1,25 В) и показатель качества qc x Vf (FOM), который на 17 процентов ниже, чем у предыдущего поколения. Кроме того, новый диод G6 использует сильные характеристики SiC, такие как не зависящее от температуры переключение и отсутствие обратного восстановительного заряда.

Конструкция устройства обеспечивает повышенную эффективность при любых условиях нагрузки наряду с повышенной удельной мощностью системы. Таким образом, диод Шоттки CoolSiC 650 В G6 отличается сниженными требованиями к охлаждению, повышенной надежностью системы и чрезвычайно быстрым переключением. Новое устройство представляет собой поколение SiC-диодов с наилучшими ценовыми характеристиками.

Более подробная информация доступна по адресу www.infineon.com/coolsic-g6 .