STGAP2GS, первый гальванически изолированный привод затвора от STM Микроэлектроника для транзисторов на основе нитрида галлия (GaN) уменьшает габариты и затраты на материалы в приложениях, требующих превосходной эффективности в широком диапазоне частот при комплексной безопасности и электрической защите.

Одноканальный драйвер может быть подключен к высоковольтной шине напряжением до 1200 В или 1700 В в узкокорпусной версии STGAP2GSN и обеспечивает напряжение возбуждения затвора до 15 В. Драйвер обеспечивает тщательно контролируемые переключательные переходы на высоких рабочих частотах, поскольку способен отводить или подавать ток затвора до 3 А на подключенный модуль или от него. Гвинедд транзистор.

При задержке распространения через изолирующий барьер всего в 45 нс STGAP2GS гарантирует быструю динамическую реакцию. Кроме того, устойчивость к переходным процессам dV/dt, составляющая ±100 В/нс во всем диапазоне температур, защищает от непреднамеренной замены затвора транзистора. На STGAP2GS имеются отдельные порты приемника и источника для простой настройки режима управления затвором и производительности.

Драйвер STGAP2GS устраняет необходимость в дискретных компонентах для обеспечения оптической изоляции, тем самым облегчая внедрение технологии GaN в различных потребительских и промышленных приложениях. К ним относятся источники питания компьютерных серверов, оборудование для автоматизации производства, драйверы двигателей, солнечный и ветроэнергетические системы, бытовую технику, бытовые вентиляторы и беспроводные адаптеры.

В дополнение к гальванической развязке драйвер включает в себя системную защиту, такую как тепловое отключение и блокировка от пониженного напряжения (UVLO), оптимизированную для технологии GaN, для обеспечения надежности и долговечности.

Две демонстрационные платы, EVSTGAP2GS и EVSTGAP2GSN, сочетают стандартные STGAP2GS и узкие STGAP2GSN с GaN-транзисторами ST SGT120R65AL 75m, 650 В в режиме усиления, чтобы помочь пользователям оценить возможности драйверов.
Теперь доступны STGAP2GS в широкофюзеляжном корпусе SO-8 и STGAP2GSN в узком корпусе SO-8.