Компания STMicroelectronics представила новое семейство силовых полупроводников GaN в линейке STPOWER, которые могут значительно снизить энергопотребление и обеспечить более тонкий дизайн в огромном разнообразии электронных изделий. Целевые области применения включают потребительское оборудование, такое как зарядные устройства, внешние адаптеры питания для ПК, драйверы светодиодного освещения и источники питания для телевизоров и бытовой техники. Это оборудование производится в больших объемах по всему миру и, обладая большей эффективностью, может обеспечить значительную экономию₂ сбережения. В приложениях с более высокой мощностью, Устройства St’s PowerGaN также полезны телекоммуникационные источники питания, промышленные электроприводы, солнечные инверторы, электромобили и зарядные устройства.

Нитрид галлия (GaN) представляет собой соединение полупроводник с широкой запрещенной зоной материал, способный выдерживать гораздо более высокие напряжения, чем традиционный кремний, без ущерба для сопротивления, тем самым снижая потери на проводимость. Продукты, реализованные по этой технологии, также могут переключаться гораздо эффективнее, что приводит к очень низким потерям при переключении. Возможность работы на более высоких частотах подразумевает использование пассивных компонентов меньшего размера. Все эти функции позволяют проектировщикам сократить общие потери (уменьшить выделяемое тепло) и повысить эффективность силовых преобразователей. В результате GaN обеспечивает миниатюризацию, делая адаптер для ПК меньше и легче, чем, например, распространенные сегодня зарядные устройства.

По оценкам сторонних производителей, стандартное зарядное устройство для мобильного телефона может быть уменьшено в размерах до 40% при использовании компонентов GaN или может быть сконструировано таким образом, чтобы обеспечивать большую мощность при том же размере. Аналогичное повышение эффективности и удельной мощности может быть предусмотрено для широкого спектра применений в потребительских, промышленных и автомобильный электроника.

Первым устройством в новом семействе транзисторов G-HEMT от ST является SGT120R65AL напряжением 650 В с максимальным входным сопротивлением 120 Мом (R_DS(вкл.)), максимальный ток 15А и подключение источника по шкале Кельвина для оптимального управления затвором. Теперь он доступен в стандартной комплектации PowerFLAT 5 × 6 HV compact для поверхностного монтажа по цене 3,00 долларов США (1000 штук). Его типичными областями применения являются адаптеры для ПК, настенные зарядные устройства USB и беспроводная зарядка.