Компания Innoscience Technology (Zhuhai) Co., Ltd. недавно провела церемонию, посвященную внедрению литографического сканера для производства 8-дюймового принтера Innoscience Нитрид галлия на кремниевых пластинах (GaN-on-Si) для коммутации питания. В 2021 году компания Innoscience представила литографский сканер от ASML. Благодаря превосходной производительности обработки изображений и уникальной двухступенчатой архитектуре TWINSCAN литографического сканера ASML повышается производительность и линейный выход устройств Innoscience GaN-on-Si power. Во время церемонии Шен Бо, вице-президент ASML и генеральный менеджер по Китаю, был награжден Innoscience как “Лучший стратегический партнер” от имени ASML.

Полупроводники “третьего поколения”, такие как нитрид галлия (GaN) и карбид кремния (SiC), в последние годы оказались в центре внимания мировой полупроводниковой промышленности, отличаясь меньшими размерами, более высокими частотами переключения, более эффективным управлением энергопотреблением при более высокой плотности мощности, чем это возможно при использовании традиционный кремниевый материал. Такие новые материалы могут удовлетворить глобальные стратегические потребности, такие как энергосбережение, сокращение выбросов, интеллектуальное производство и т.д. GaN является одним из ключевых полупроводниковых материалов “третьего поколения”, который имеет широкие рыночные перспективы и может найти применение в широком спектре областей применения, охватывающих потребителей, промышленность и автомобилестроение. Являясь ведущим мировым производителем 8-дюймовых интегрированных устройств GaN-on-Si (IDM), Innoscience стремится продвигать инновации и революцию в технологии производства полупроводников третьего поколения.

“Во втором квартале этого года мы представили литографический сканер ASML, который расширил наши возможности. процесс литографии окно, выход поточной линии, производительность и экономичность. После установки сканера команда обслуживания клиентов ASML и наши инженеры эффективно преодолели технические трудности с помощью проверки на месте и итераций, что позволило успешно наладить пробное производство всего за три месяца и в конечном итоге перейти к официальному этапу массового производства в октябре. Благодаря сотрудничеству с ASML, ведущим мировым поставщиком полупроводниковой промышленности, производственный процесс Innoscience был оптимизирован и ускорен для поддержки быстро развивающейся полупроводниковой промышленности GaN”, — сказал Джей Сон, генеральный директор Innoscience.