Институт микроэлектроники (IME) при Агентстве по науке, технологиям и исследованиям (A*STAR) и STMicroelectronics объявили о начале сотрудничества в области исследований и разработок (R&D) в области карбида кремния (SiC) для применения в силовой электронике в автомобильный и промышленные рынки. Сотрудничество закладывает основу для комплексной экосистемы SiC в Сингапуре и создает возможности для других компаний взаимодействовать с IME и ST в исследованиях SiC.

Решения SiC могут превосходить обычные кремниевые (Si) устройства в силовой электронике для электромобилей (EVs) и промышленного применения, удовлетворяя потребность в силовых модулях с меньшими форм-факторами или более высокой выходной мощностью, а также в работе при более высоких температурах. В рамках этого исследовательского сотрудничества IME компании A*STAR и STMicroelectronics нацелены на разработку и оптимизацию SiC-интегрированных устройств и корпусных модулей для обеспечения значительно более высокой производительности в силовой электронике следующего поколения.

“Мы рады сотрудничать с STMicroelectronics в разработке прорывных технологий, отвечающих потребностям растущего рынка электромобилей. Такие усилия продолжат укреплять высокоэффективную научно-исследовательскую деятельность в Сингапуре и укрепят его репутацию привлекательного регионального центра исследований, инноваций и предпринимательства”, — сказал профессор Дим-Ли Квонг, исполнительный директор IME.

“Это новое сотрудничество с IME способствует росту экосистемы карбида кремния в Сингапуре, поскольку мы расширяем нашу производственную деятельность там в дополнение к Катании (Италия). Многолетнее сотрудничество помогает нам расширить наши глобальные исследования и разработки в рамках существующих программ, осуществляемых в Катании и Норчепинге (Швеция), охватывая всю цепочку создания стоимости SiC”, — сказал Эдоардо Мерли, генеральный директор макроразделения силовых транзисторов и вице-президент группы STMicroelectronics Automotive and Discrete Group. “Глубокие знания и экспертиза IME в области материалов с широким диапазоном пропускания, и особенно SiC, помогают нам ускорить разработку новых технологий и продуктов, решающих задачи устойчивой мобильности и повышения энергоэффективности в широком спектре применений”.