Компания GaN Systems объявила, что зарядное устройство переменного тока мощностью 240 Вт в игровом ноутбуке Dell™ Alienware X15 R1 оснащено транзисторами GaN Systems.

Игровые компьютеры продолжают удивлять сочетанием невероятной производительности и потрясающе элегантного дизайна. В качестве примера можно привести новый Dell Alienware X15 R1, самый тонкий 15-дюймовый высокопроизводительный игровой ноутбук. Характеристики включают процессор Intel® Core™ i711800H 11-го поколения, видеокарту NVIDIA® GeForce RTX™ 3060 с 6 ГБ GDDR6, 16 ГБ оперативной памяти DDR4, 3200 МГц и 512 ГБ SSD M.2 PCIe NVMe.

Элегантные компьютеры часто поставляются в комплекте с неуклюжими зарядными устройствами. Теперь Dell решила проблему с помощью первого зарядного устройства Alienware небольшого форм-фактора. Дизайн столь же потрясающе элегантен, как и компьютер, с которым он сочетается. Он меньше, легче и изящнее всех предыдущих моделей на рынке – примерно в два раза меньше по размеру и на 25% легче.

Фактически, новое зарядное устройство Dell Alienware мощностью 240 Вт почти такого же размера, как и старые зарядные устройства мощностью 90 Вт, но при том же объеме оно обладает в 2,7 раза большей мощностью.

В недавнем отчете о сбоях новое зарядное устройство мощностью 240 Вт (LA240PM200) сравнивается с зарядным устройством Dell мощностью 90 Вт (LA90PM130). В отчете отмечается, что зарядное устройство мощностью 240 Вт использует силовые транзисторы GaN Systems, что обеспечивает значительное повышение мощности при выходной мощности 240 Вт в корпусе размером 152 x 78 x 23 мм, который аналогичен по размеру зарядному устройству Dell мощностью 90 Вт.

В отчете рассказывается о том, как разработчики воспользовались преимуществами силовых транзисторов GaN Systems. Быстрое переключение GaN-транзисторов является ключевым технологическим достижением, которое приводит к значительным улучшениям в конструкции зарядного устройства. Во-первых, высокочастотное переключение GaN приводит к использованию более мелких компонентов, таких как конденсаторы, катушки индуктивности и трансформаторы. Во-вторых, быстрое переключение GaN приводит к меньшим потерям мощности, а это означает, что выделяется меньше тепла.В сочетании эти два преимущества позволяют разработчикам сделать зарядное устройство намного меньше и легче.

Для получения дополнительной информации Системы GaN