Infineon Technologies продолжает расширять
ассортимент своей продукции из карбида кремния (SiC) устройствами напряжением 650 В.
С помощью недавно выпущенных МОП-транзисторов CoolSiC Infineon удовлетворяет растущий
спрос на энергоэффективность, удельную мощность и надежность в широком спектре
применений. Среди них серверные, телекоммуникационные и промышленные SMPS
-системы, системы солнечной энергетики, накопления энергии и формирования аккумуляторных батарей, ИБП, электроприводы, а
также EV-зарядка.

Устройства CoolSiC MOSFET напряжением 650 В имеют номинальную
мощность от 27 Мом до 107 Мом. Они доступны в классическом 3-контактном исполнении TO-247, а также в
4-контактные разъемы TO-247, что обеспечивает еще более низкие потери при переключении. Как и все
ранее выпущенные продукты CoolSiC на МОП-транзисторах, новое семейство устройств напряжением 650
В основано на самой современной технологии trench semiconductor от Infineon.
Максимизируя высокие физические характеристики SiC, это гарантирует, что
устройства обладают превосходной надежностью, лучшей в своем классе коммутацией и
потерями при проводимости. Кроме того, они отличаются высочайшим уровнем транспроводимости (коэффициентом усиления),
пороговым напряжением (V-th) 4 В и устойчивостью к короткому замыканию. Таким образом, траншейная
технология обеспечивает наименьшие потери при применении и высочайшую надежность
в эксплуатации – без каких-либо компромиссов.

МОП-транзисторы CoolSiC напряжением 650 В обладают привлекательными преимуществами
по сравнению с другими решениями из кремния и карбида кремния, представленными на рынке, такими
как эффективность переключения на более высоких частотах и выдающаяся надежность.
Благодаря очень низкой зависимости сопротивления во включенном состоянии (RDS(on)) от температуры
они обладают отличными тепловыми характеристиками. Устройства могут похвастаться надежными и стабильными
корпусными диодами, сохраняющими очень низкий уровень заряда обратного восстановления (qrr), что
примерно на 80 процентов меньше по сравнению с лучшим МОП-транзистором CoolMOS с суперпереходом. Надежность
коммутации помогает очень легко достичь общей
эффективности системы в 98 процентов, например, за счет использования режима непрерывной проводимости
с коррекцией коэффициента мощности на тотемном полюсе (PFC).

Чтобы упростить разработку приложения, используйте
МОП-транзисторы CoolSiC напряжением 650 В и для обеспечения высокопроизводительной работы устройств
Infineon предлагает выделенные 1-канальные и 2-канальные с гальванической развязкой
Микросхемы EiceDRIVER gate-драйвера. Это решение, объединяющее коммутаторы CoolSiC и
специализированные микросхемы управления шлюзами, помогает снизить затраты на систему, а также общую стоимость
владения и обеспечивает повышение энергоэффективности. МОП-транзисторы CoolSiC также
легко сочетаются с другими микросхемами семейства EiceDRIVER gate-driver от Infineon.

Для получения дополнительной информации посетите www.infineon.com .