Объединенный университет компания еще больше расширила ассортимент своей продукции серии UF3C FAST, представив дополнительное высокопроизводительное устройство SiC FET напряжением 1200 В в дискретном корпусе TO-247-4L с 4-разрядным выводом Kelvin Sense. UF3C120150K4S имеет типичное входное сопротивление (RDS(on)) 150 Мом, что позволяет увеличить общее количество устройств серии FAST с 4 выводами до шести и расширить диапазон входного сопротивления всей серии с 30 Мом до 150 Мом.

При максимальной рабочей температуре
175°C UF3C120150K4S обеспечивает превосходное обратное восстановление, низкий заряд затвора и
низкую внутреннюю емкость. Защищенный от ESD корпус HBM класса 2 TO-247-4L
обеспечивает более быстрое переключение и гораздо более чистые сигналы затвора по сравнению со стандартным
3-выводится ДО-247. 4-контактный корпус Kelvin позволяет избежать звона затвора и ложных
срабатываний, которые обычно требуют ограничения скорости переключения для
управления большой общей индуктивностью источника в 3-выводных корпусах. Это устройство
идеально подходит для зарядки электромобилей, фотоэлектрических инверторов, источников питания с переключаемым режимом,
модулей коррекции коэффициента мощности (PFC), электроприводов и индукционного нагрева.

Новая серия UnitedSiC UF3C FAST SiC, которая
теперь насчитывает 13 устройств, доступна в комплектациях TO-247-3L и TO-247-4L с
Варианты 1200В и 650В. Линейка предлагает устройства с очень быстрым переключением и высокой мощностью
в корпусе, способном рассеивать высокую мощность на основе эффективной
конфигурации “cascode”. 4-контактный корпус Kelvin обеспечивает простое крепление винтами или
зажимами с очень низким тепловым сопротивлением соединения с корпусом, используя
преимущества SiC при высокой температуре соединения.

Уникален для всех UJ3C и UF3C UnitedSiC
Портфолио SiC FET — это его истинная функциональность “быстрой замены”. Разработчики
могут значительно повысить производительность системы без необходимости изменения
напряжения возбуждения затвора, заменив существующие Si IGBT, Si FET, SiC MOSFET или
устройства с суперпереключением Si на полевые транзисторы UnitedSiC.

Для получения дополнительной информации посетите unitedsic.com.