600007 г. Владимир, ул. 16 лет Октября, д. 68А, литер "Ф", этаж 2, помещение 12
+7 (4922) 53-10-31
info@skb-proton.ru

Transphorm предоставляет доступ к своей имитационной модели GaN FET напряжением 1200 В

Технологии силовой преобразовательной техники

Трансформ объявила о доступности своей имитационной модели полевого транзистора напряжением 1200 В и предварительного технического описания. Полевой транзистор TP120H070WS является первым в своем роде и единственным на сегодняшний день силовым полупроводником GaN-on-Sapphire напряжением 1200 В, представленным на сегодняшний день. Его выпуск демонстрирует способность Transphorm обслуживать как трехфазные энергосистемы, которые часто используются на рынках промышленности, передачи данных и возобновляемых источников энергии, так и будущие автомобильные энергосистемы.

По сравнению с конкурирующими технологиями, эти приложения выиграют от более высокой плотности мощности, надежности и производительности при более доступной стоимости устройства GaN напряжением 1200 В. Недавно Transphorm подтвердила повышенную производительность устройства GaN в понижающем преобразователе мощностью 5 кВт на 900 В, переключающемся на частоте 100 кГц. Кпд устройства GaN на 1200 В составил 98,7%, что превзошло показатели SiC-МОП-транзистора с аналогичным заявленным производственным показателем.

Инновационная технология 1200 В также подчеркивает доминирующее положение Transphorm в области преобразования энергии GaN. Обладая многолетним техническим опытом, вертикальной интеграцией, правом собственности на эпитаксию и запатентованным методом, компания может предложить на рынок линейку высокопроизводительных устройств GaN с четырьмя дополнительными ключевыми характеристиками: технологичностью, управляемостью, конструктивностью и надежностью.

Устоявшаяся технология и испытанные методы ведения бизнеса поддерживают технологию 1200 В от Transphorm. То повел в настоящее время рынок использует технологию GaN-on-Sapphire в коммерческом производстве. Кроме того, в имеющемся в настоящее время ассортименте устройств Transphorm используется принципиально превосходный, обычно отключаемый Гвинедд платформа, в основе которой лежит технология 1200 В.

Основные технические характеристики устройства TP120H070WS включают:

  • 70 Мом RDS(включено)
  • Обычно выключен
  • Эффективный двунаправленный поток тока
  • Надежность затвора Vmax ± 20
  • Низкая помехозащищенность привода 4-го затвора
  • Нулевой Qр-р
  • 3-вывод НА-247 пакет.

Модель устройства Verilog-A рекомендуется для использования с SIMetrix Pro v8.5 Circuit Simulator. Модель LTspice находится в разработке и будет выпущена в 4 квартале 2023 года. Имитационное моделирование позволяет быстро и эффективно проверить правильность проектирования энергосистемы, сокращая при этом количество итераций проектирования, время разработки и инвестиции в оборудование.