Уделяя особое внимание приложениям с высокой частотой коммутации, таким как телекоммуникационные SMPS и системы солнечной энергетики, полупроводниковые технологии обладают огромным потенциалом для внесения значительных улучшений в различные другие области применения. В этом выпуске Infineon представляет свою технологию устройств OptiMOS 6 — новый подход к проектированию ячеек, обеспечивающий более высокую плотность мощности и экономическую эффективность. Повышение общей производительности устройства привело к созданию структуры устройства, позволяющей использовать 3D-компенсацию заряда в сочетании с металлическим затвором в силовом МОП-транзисторе trench. В результате эта технология снижает сопротивление включению, значительно снижает затраты на затвор и сток затвора и улучшает однородность переключения по всей площади устройства. Эти достижения приводят к значительному повышению эффективности системы в различных приложениях при различных условиях нагрузки.

Сегодня карбид кремния используется в требовательных полупроводниковых приложениях, таких как поезда, турбины, электромобили и интеллектуальные сети. Поскольку рынок стремится к паритету цен на силовые устройства с устройствами на основе кремния, производители подложек из SiC заинтересованы в повышении эффективности процесса и снижении затрат на производство пластин. Кроме того, приложения на основе SiC и все другие типы полупроводников пользуются чрезвычайно высоким спросом, что требует инноваций в производственном процессе. В этом выпуске мы анализируем опыт работы Pureon в области полупроводников с собственными лабораториями полировки и обработки поверхностей. Ранбир Сингх, исполнительный вице-президент, и Сиддарт Сундаресан, старший вице-президент по технологиям и операциям SiC, оба в Navitas Semiconductor, проанализируют, как полностью SiC-инверторы произведут революцию в области доставки электроэнергии, интеграции возобновляемых источников энергии и хранения энергии.

В автомобилестроении и промышленности в современной электронике возросла потребность в высокой мощности. Выходная мощность в киловаттах является типичным требованием для таких применений, как электроприводы, инверторы или бортовые зарядные устройства. Это означает, что необходимость в обработке большей мощности передается компонентам, особенно МОП-транзисторам, из-за существующих ограничений по пространству в модулях. В статье этого номера анализируется технология LFPAK и то, как она отвечает сложным требованиям, предъявляемым к силовой электронике.

По мере того, как мир все больше переходит на возобновляемые источники энергии, происходят преобразования в хранении и преобразовании этой энергии для повседневного использования в быту. Статья в этом номере посвящена презентации Джейкоба Мюллера, старшего технического сотрудника отдела технологий и систем хранения энергии Sandia National Laboratories, посвященной ключевым тенденциям и вызовам, связанным с этой трансформацией, с акцентом на роли силовой электроники и систем хранения энергии. Другие темы, проанализированные в этом выпуске, — термоядерная энергия, проверка надежности GaN, технология SiC для электрификации и глубокое погружение в SiC-МОП-транзисторы третьего поколения STMicroelectronics для автомобильной промышленности. Более того, автор статьи Кэтрин Бонамо анализирует производство полупроводников с точки зрения устойчивого развития.