Семейство МОП-транзисторов CoolSiC 650 В от Infineon обеспечивает высочайшую надежность и производительность

Infineon Technologies продолжает расширять
ассортимент своей продукции из карбида кремния (SiC) за счет устройств напряжением 650 В.
С помощью недавно выпущенных МОП-транзисторов CoolSiC Infineon удовлетворяет растущий
спрос на энергоэффективность, плотность мощности и надежность в широком спектре
применений. Среди них серверные, телекоммуникационные и промышленные SMPS,
системы солнечной энергетики, накопления энергии и формирования аккумуляторных батарей, ИБП, электроприводы, а
также электрозарядка.

Устройства CoolSiC MOSFET на 650 В рассчитаны
на напряжение от 27 Мом до 107 Мом. Они доступны в классическом 3-контактном исполнении TO-247, а также
4-контактные блоки TO-247, что обеспечивает еще меньшие потери при переключении. Как и все
ранее выпущенные продукты CoolSiC MOSFET, новое семейство устройств на 650 В
основано на современной технологии trench semiconductor от Infineon.
Максимизируя сильные физические характеристики SiC, это гарантирует, что
устройства обладают превосходной надежностью, лучшей в своем классе коммутацией и
потерями на проводимость. Кроме того, они отличаются высочайшим уровнем транскондуктивности (коэффициент усиления),
пороговым напряжением (V th) 4 В и устойчивостью к короткому замыканию. Таким образом, траншейная
технология обеспечивает минимальные потери при применении и высочайшую надежность
в эксплуатации – без каких-либо компромиссов.

МОП-транзисторы CoolSiC напряжением 650 В обладают привлекательными преимуществами
по сравнению с другими решениями из кремния и карбида кремния, представленными на рынке, такими
как эффективность переключения на более высоких частотах и выдающаяся надежность.
Благодаря очень низкой зависимости сопротивления включенному состоянию (R DS(on)) от температуры
они обладают превосходными тепловыми характеристиками. Устройства могут похвастаться надежными и стабильными
корпусными диодами, сохраняющими очень низкий уровень заряда обратного восстановления (qrr), что
примерно на 80 процентов меньше по сравнению с лучшим МОП-транзистором CoolMOS superjunction. Надежность
коммутации помогает очень легко достичь общей
эффективности системы в 98 процентов, например, за счет использования
коррекции коэффициента мощности тотемного полюса в режиме непрерывной проводимости (PFC).

Чтобы упростить дизайн приложения, используя
МОП-транзисторы CoolSiC напряжением 650 В и для обеспечения высокопроизводительной работы устройств
Infineon предлагает выделенные 1-канальные и 2-канальные с гальванической развязкой
Микросхемы EiceDRIVER gate-driver. Это решение, объединяющее коммутаторы CoolSiC и
специализированные микросхемы управления шлюзами, помогает снизить затраты на систему, а также общую стоимость
владения и обеспечивает повышение энергоэффективности. МОП-транзисторы CoolSiC также
без проблем работают с другими микросхемами семейства EiceDRIVER gate-driver от Infineon.

Партнерский контент