600007 г. Владимир, ул. 16 лет Октября, д. 68А, литер "Ф", этаж 2, помещение 12
+7 (4922) 53-10-31
info@skb-proton.ru

UnitedSiC объявляет о первых полевых транзисторах SiC с RDS (вкл.)

Технологии силовой преобразовательной техники

UnitedSiC представляет четыре новых полевых транзистора SiC
с уровнем RDS (ON) всего 7 Ом, обеспечивающих беспрецедентный уровень
производительности и экономичности для использования в мощных приложениях, таких как
инверторы для электромобилей (EV), мощные преобразователи постоянного тока, сильноточные зарядные
устройства для аккумуляторов и твердотельные схемы выключатели. Из четырех новых устройств UF3C SiC FET
одно рассчитано на напряжение 650 В при RDS (вкл.) 7 Мом, а три
устройства серии 9 и 16 Мом рассчитаны на напряжение 1200 В при RDS (вкл.). Все они доступны в универсальном
Посылка TO247.

Эти новые SiC-транзисторы сочетают в себе
высокопроизводительный SiC JFET третьего поколения и оптимизированный для каскода Si MOSFET.
Такая конфигурация схемы создает быстрое и эффективное устройство в знакомом
корпусе, которое может приводиться в действие при тех же напряжениях затвора, что и Si IGBT, Si MOSFET
и SiC MOSFET-транзисторы. Кроме того, для оптимизации высокотемпературной эксплуатации
спекание серебра обеспечивает монтаж корпуса TO247 с низким термическим сопротивлением.

UF3SC065007K4S имеет максимальное рабочее
напряжение 650 В, ток стока до 120 А и RDS (ВКЛ.) 6,7 Мом.
UF3SC120009K4S имеет максимальное рабочее напряжение
1200 В, ток стока до 120 А и RDS (ВКЛ.) 8,6 Мом. Оба поставляются в корпусе с четырьмя выводами Кельвина,
что обеспечивает более чистые характеристики привода.

Для маломощных конструкций UnitedSiC предлагает
две части с максимальным рабочим напряжением 1200В, током стока до
77А и RDS (ВКЛ.) 16 Мом. UF3SC120016K3S имеет корпус с тремя выводами, в то время
как UF3SC120016K4S имеет корпус с четырьмя выводами.

Низкий коэффициент полезного действия (ВКЛ.), характерный для этих
устройств, позволяет достичь КПД более 99% в инверторных
конструкциях. Отличная производительность обратного восстановления помогает в этом отношении, наряду
с низким падением проводимости в режиме свободного хода.

Разработчики инверторов смогут извлекать
больше энергии из своих существующих конструкций, не изобретая заново базовую
архитектуру схемы, переключаясь с той же скоростью, но обрабатывая более высокие токи
без чрезмерного резистивного нагрева.

Низкие потери при переключении позволяют разработчикам
использовать инвертор на более высоких частотах для получения более чистой формы выходного
тока. Это повышает эффективность приводимых в действие двигателей за счет
снижения потерь в их активной зоне. Если инвертор сконструирован таким образом, чтобы иметь фильтрованный
выходной сигнал, работа на более высокой частоте позволит использовать фильтры меньшего размера.

Детали также хорошо работают параллельно, чтобы
выдерживать очень большие токи. Тщательные расчеты потерь показывают, что совокупные
потери при переключении и проводимости инвертора мощностью 200 кВт и частотой 8 кГц, построенного с использованием шести
Параллельные полевые транзисторы UF3SC120009K4S SiC будут примерно на треть больше, чем у аналогичного
инвертора, построенного с использованием современных IGBT / диодных модулей.

Сверхнизкие потери на проводимость, обеспечиваемые
низкими показателями RDS (ON) SIC-полевых транзисторов серии UF3C, означают, что устройства также могут
использоваться в качестве твердотельных автоматических выключателей и выключателей отключения батарей в электромобилях.
Устройства могут очень быстро отключать очень большие токи, а при использовании в качестве
автоматического выключателя имеют самоограничивающую характеристику, которая контролирует протекающий пиковый
ток. Эта характеристика также может быть использована для ограничения пусковых
токов, протекающих в инверторы и двигатели.

SiC-транзисторы серии UF3Cseries могут стать основой
для более эффективных сильноточных зарядных устройств. Для
систем с более низким напряжением батареи UF3SC65007K4S обеспечивает гораздо большую эффективность в
цепях зарядки, чем системы на базе IGBT. Если для создания синхронного
выпрямителя вместо диодов вторичной обмотки используются полевые транзисторы SiC, это также значительно сокращает
потери и, таким образом, снижает нагрузку на охлаждение зарядного устройства. Например, при
рабочем токе 100 А с рабочим циклом 50% потери на проводимость диода JBS
составят почти 100 Вт, но UF3SC065007K4S, работающий как синхронный
выпрямитель, будет иметь потери на проводимость всего 45 Вт.

Для получения дополнительной информации посетите www.unitedsic.com.