STMicroelectronics и Leti, научно-исследовательский институт CEA Tech, объявили о своем сотрудничестве по промышленному внедрению технологий на основе нитрида галлия (GaN) на кремнии для устройств коммутации питания. Эта технология power GaN-on-Si позволит ST решать высокоэффективные приложения с высокой мощностью, включая автомобильные бортовые зарядные устройства для гибридных и электромобилей, беспроводную зарядку и серверы.

Сотрудничество сосредоточено на разработке и квалификации передовых архитектур GaN-on-Silicon диодов и транзисторов на 200-миллиметровых пластинах, рынок которых, по оценкам исследовательской фирмы IHS Markit, вырастет в среднем более чем на 20 процентов с 2019 по 2024 год[1]. Совместно, в рамках IRT Nanoelec, ST и Leti разрабатывают технологию технологического процесса на 200-миллиметровой научно-исследовательской линии Leti и рассчитывают получить подтвержденные технические образцы в 2019 году. Параллельно ST создаст полностью квалифицированную производственную линию, включая гетероэпитаксию GaN / Si, для запуска первоначального производства на фабрике по производству пластин ST в Туре, Франция, к 2020 году.

Кроме того, учитывая привлекательность технологии GaN-on-Si для применения в энергетике, Leti и ST оценивают передовые методы улучшения упаковки устройств для сборки силовых модулей с высокой плотностью энергопотребления.

“Признавая невероятную ценность широкополосных полупроводников, вклад ST в технологии производства и упаковки Power GaN-on-Si совместно с CEA-Leti позволяет нам получить самый полный в отрасли ассортимент продуктов и возможностей GaN и SiC в дополнение к нашей доказанной компетенции в производстве высококачественных, надежные продукты по объему”, — сказал Марко Монти, президент автомобильной и дискретной группы STMicroelectronics.

“Используя универсальную платформу Leti диаметром 200 мм, команда Leti полностью привержена поддержке стратегической дорожной карты ST в области силовой электроники GaN-on-Si и готова перенести технологию на специализированную производственную линию ST GaN-on-Si в Туре. Эта совместная разработка, в которой участвуют команды с обеих сторон, использует рамочную программу IRT Nanoelec для расширения необходимого опыта и внедрения инноваций с самого начала на уровне устройств и систем”, — сказал генеральный директор Leti Эммануэль Сабоннадьер.

www.st.com .