Объединенный совет компания еще больше расширила ассортимент продуктов серии UF3C FAST, представив дополнительное высокопроизводительное устройство SiC FET напряжением 1200 В в дискретном корпусе TO-247-4L с 4 свинцовыми ячейками Kelvin Sense. UF3C120150K4S предлагает типичное сопротивление включения (RDS (on)) 150 Мом, в результате чего общее количество устройств серии FAST с 4 выводами достигает шести и диапазон сопротивления включения всей серии увеличивается с 30 Мом до 150 Мом.

При максимальной рабочей температуре
175 ° C UF3C120150K4S обеспечивает превосходное обратное восстановление, низкий заряд затвора и
низкую собственную емкость. Защищенный от электростатического разряда корпус HBM класса 2 TO-247-4L
обеспечивает более быстрое переключение и гораздо более чистые сигналы затвора по сравнению со стандартным
3-свинцовый ДО-247. 4-контактный корпус Kelvin позволяет избежать срабатывания затвора и ложных
срабатываний, которые обычно требуют ограничения скорости переключения для
управления большой индуктивностью общего источника в корпусах с 3 выводами. Это устройство
идеально подходит для зарядки электромобилей, фотоэлектрических инверторов, источников питания с переключаемым режимом,
модулей коррекции коэффициента мощности (PFC), электроприводов и индукционного нагрева.

Новая серия UF3C FAST SiC от UnitedSiC, которая
теперь насчитывает 13 устройств, доступна в упаковках TO-247-3L и TO-247-4L с
Варианты 1200В и 650В. Линейка предлагает устройства с очень быстрой коммутацией и высокой мощностью
в корпусе, способном рассеивать высокую мощность благодаря эффективной
конфигурации “cascode”. 4-клеммный комплект Kelvin обеспечивает простой монтаж на винт или
зажим при очень низком тепловом сопротивлении соединения с корпусом, используя
преимущества SiC с высокой температурой соединения.

Уникальный для всего UJ3C и UF3C UnitedSiC
Портфолио SiC FET — это его истинная функциональность “быстрой замены”. Разработчики
могут значительно повысить производительность системы без необходимости изменения
напряжения привода затвора, заменив существующие Si IGBT, Si FET, SiC MOSFET или
устройства суперперехода Si на UnitedSiC FET.

Для получения дополнительной информации посетите unitedsic.com.