Alpha and Omega Semiconductor (AOS) объявила о заключении лицензионного соглашения с ведущим поставщиком силовых полупроводников для автомобильной промышленности, связанного с карбидом кремния AOS (так) Технология MOSFET и диодов. Согласно этому соглашению, AOS будет лицензировать и обеспечивать инженерную поддержку своей запатентованной технологии aSiC, а также сопровождающего соглашения о поставке.

Карбид кремния — это полупроводник с широкой запрещенной зоной (WBG), который позволяет автопроизводителям разрабатывать силовые агрегаты и системы зарядки электромобилей (EV), которые являются более компактными, более эффективными и имеют больший радиус действия. Ожидается, что к 2027 году общий объем рынка SiC составит 6 миллиардов долларов, что сделает его одним из самых быстрорастущих направлений в индустрии силовых полупроводников. Основная часть аккумуляторных систем EV напряжением 400 В и быстро растущим напряжением 800 В покрывается ведущим в своем классе автомобильным aSiC от AOS МОП-транзисторы, которые доступны в диапазоне от 750 В до 1200 В.

Alpha and Omega Semiconductor проектирует, разрабатывает и поставляет широкий спектр силовых полупроводников, включая силовые MOSFET, IGBT, IPM, телевизоры, HVIC, устройства из нитрида галлия (GaN) и карбида кремния (SiC), силовые микросхемы и цифровые силовые продукты.