Dialog Semiconductor демонстрирует свой первый продукт GaN power IC, использующий технологический процесс TSMC 650-V GaN-on-Si. DA8801 вместе с запатентованными Dialog цифровыми контроллерами быстрого преобразования мощности заряда позволяют использовать адаптеры меньшего размера и с более высокой плотностью мощности по сравнению с традиционными конструкциями на основе полевых транзисторов Si (FET).

Dialog изначально ориентируется на сегмент смартфонов с быстрой зарядкой и компьютерных адаптеров с помощью своих решений GaN. Полумост объединяет строительные блоки, включая приводы вентилей и схемы переключения уровня, с силовыми переключателями напряжением 650 В, что снижает потери мощности до 50% при энергоэффективности до 94%. Технология GaN позволяет уменьшить размеры силовой электроники до 50%. Типичная конструкция адаптера мощностью 45 Вт будет соответствовать форм-фактору мощностью 25 Вт. Адаптер питания будет доступен в пробных количествах в 4 квартале 2016 года. Более подробную информацию можно найти на: http://www.dialog-semiconductor.com/products/DA8801