600007 г. Владимир, ул. 16 лет Октября, д. 68А, литер "Ф", этаж 2, помещение 12
+7 (4922) 53-10-31
info@skb-proton.ru

Электронная книга для пера Март 2021 – Технология беспроводной зарядки высокой мощности

Технологии силовой преобразовательной техники

PEN Ebook March2021_Cover
Если вы используете смартфон или планшет кликните сюда для адаптивной версии

Настройка сети промышленных устройств сопряжена с затратами, и более 60% этих затрат связаны с прокладкой кабелей и монтажом. В то время как беспроводная передача данных может помочь избавиться от некоторых кабелей, еще большего можно избежать, добавив беспроводную технологию передачи энергии. Обложка этого выпуска посвящена системам беспроводной зарядки в приложениях с более высокой мощностью. Марсель Константинов и Кен Мур проанализируют наиболее значимые проблемы для дизайнеров и преимущества для рынка. В моделях с более высокой мощностью некоторые конструктивные проблемы усиливаются по сравнению с беспроводной зарядкой с более низкой мощностью из-за более высоких уровней мощности. Концепция беспроводной передачи энергии известна давно, если быть точным, более 100 лет, и восходит к изобретению катушки Теслы. Ключевым фактором беспроводной передачи энергии является эффективность. Эффективность беспроводной передачи энергии зависит от конструкции как магнитов (катушек), так и электроники. Это также требует глубокого уровня системных знаний и опыта при балансировке различных параметров системы, от индуктивности катушки по напряжению и току до механической упаковки и электромагнитных помех (EMI).

Мы живем в эпоху электрификации и автоматизации с особым акцентом на снижение загрязнения окружающей среды и повышение эффективности, и рынок силовой электроники развивается для достижения этих целей. Интересный анализ, проведенный Йоле, посвящен эволюции рынка силовых устройств и связанным с этим техническим разработкам. В этом выпуске также будут обсуждаться темы, связанные с технологией SiC и GaN. В новую эру полупроводников с широкой запрещенной зоной выбор типов устройств включает SiC MOSFET и GaN транзисторы.

Кроме того, исследование даст рекомендации о том, как оценивать внутренние компенсационные сети. Наличие оптимизированного контура управления, который может обеспечить быструю переходную реакцию при сохранении надлежащей стабильности, стало серьезной проблемой с появлением новых приложений, таких как ADAS, и требований к быстрой переходной реакции. Для решения этих проблем были разработаны понижающие регуляторы с внутренними компенсационными сетями, упрощающие процесс проектирования.

искренне ваш,

Маурицио Ди Паоло Эмилио

Главный редактор, НОВОСТИ СИЛОВОЙ ЭЛЕКТРОНИКИ

плагин iframe v.4.5 wordpress.org/plugins/iframe/

Версия для смартфона или планшета