Компания EPC объявила о выпуске полевого транзистора EPC7004, защищенного от радиации. EPC7004 представляет собой полевой транзистор 100 В, 7 м, 160 импульсов, жесткий GaN FET с небольшой площадью 6,56 мм2. EPC7004 имеет суммарную дозу излучения более 1 Мрад и обеспечивает помехозащищенность 85 МэВ/(мг/см2). EPC7004, как и остальные устройства семейства Rad Hard, EPC7014, EPC7007, EPC7019 и EPC7018, выпускается в корпусе в масштабе чипа, аналогичном коммерческому иГаН ФЕТ и моя семья. EPC Space предоставит упакованные версии.

Обладая более высокой прочностью на пробой, меньшим зарядом затвора, меньшими потерями при переключении, лучшей теплопроводностью и очень низким сопротивлением включению, силовые устройства на основе GaN значительно превосходит устройства на основе кремния и обеспечивают более высокие частоты переключения, что приводит к более высокой плотности мощности, более высокой эффективности и более компактным и легким схемам для критически важных космических полетов. Устройства GaN также поддерживают более высокие уровни общего излучения и пропускания света, чем кремниевые решения.

EPC7004 присоединяется к семейству продуктов rad hard GaN, напряжение которых варьируется от 40 В до 200 В, обеспечивая значительные преимущества в электрических и радиационных характеристиках для приложений, включая питание постоянным током, электроприводы, лидары, глубинные зонды и ионные двигатели для космических приложений, спутников и авионики.

“100 В EPC7018 и EPC7004 предлагают разработчикам различные компромиссы между размерами и мощностью при сверхнизком сопротивлении включению, что позволяет новому поколению преобразователей мощности и электроприводов в космосе работать на более высоких частотах, более высокой эффективности и большей плотности мощности, чем когда-либо достижимые ранее”, — сказал Алекс Лидоу, генеральный директор и соавтороснователь EPC.

EPC7004 доступен для инженерного отбора проб и будет полностью готов к массовым поставкам в декабре 2022 года.