STMicroelectronics выпускает 40-вольтовые МОП-транзисторы STL320N4LF8 и STL325N4LF8AG, отличающиеся энергоэффективностью и низким уровнем шума в схемах преобразования мощности, управление двигателем, и распределение мощности. Конструкция направлена на снижение сопротивления включению и потерь при переключении, наряду с оптимизацией свойств корпусных диодов.

Новый МОП-транзисторы в режиме усиления N-канала 40 В используйте траншейную технологию STPOWER STripFET F8 последнего поколения, заполненную оксидом, для достижения превосходных показателей качества. STL320N4LF8 и STL325N4LF8AG имеют максимальное сопротивление включения (Rds(on)) 0,8 Мом и 0,75Мом соответственно при напряжении затвор-источник (VGS) 10В. Чрезвычайно эффективный режим Rds (вкл.) МОП-транзисторов на площадь матрицы обеспечивает компактность и термическую эффективность корпуса PowerFLAT 5×6.

Усовершенствованная технология STripFET F8 ST также обеспечивает отличную скорость переключения за счет низкой емкости устройства, что сводит к минимуму динамические параметры, такие как заряд затвора-слива, повышая эффективность системы. Разработчики могут выбирать частоты переключения в диапазоне от 600 кГц до 1 МГц, что позволяет использовать меньшие емкостные и магнитные компоненты для экономии размера схемы и спецификации материалов, а также для увеличения плотности мощности конечного приложения.

Надлежащая выходная емкость и соответствующее эквивалентное последовательное сопротивление предотвращают скачки напряжения сток-источник и обеспечивают более короткое время колебаний клецки при выключении. Благодаря этому и характеристике мягкого восстановления диода корпуса STL320N4LF8 и STL325N4LF8AG излучают чрезвычайно низкие электромагнитные помехи (EMI) по сравнению с другими аналогичными устройствами на рынке. Кроме того, диод имеет низкий заряд обратного восстановления, что сводит к минимуму потери энергии в топологиях с жесткой коммутацией.

Пороговое напряжение затвора (VGS_(й)) жестко контролируется в STL320N4LF8 и STL325N4LF8AG, чтобы обеспечить узкий разброс между устройствами и, следовательно, облегчить параллельное подключение нескольких МОП-транзисторов для обработки увеличенного тока. Также обеспечивается исключительная устойчивость к короткому замыканию, выдерживающая до 1000 А (импульсы короче 10 мкс).

Идеально подходящие для продуктов с батарейным питанием и приложений в вычислительной технике, телекоммуникациях, освещении и общем преобразовании энергии, STL320N4LF8 и STL325N4LF8AG являются первыми МОП-транзисторными устройствами STPOWER STripFET F8 промышленного класса и AEC-Q101, соответственно. STL320N4LF8 и STL325N4LF8AG сейчас находятся в серийном производстве по цене от 1,29 и 1,40 долларов США соответственно при заказе от 1000 единиц.