Toshiba Electronics Europe выпустила новый МОП-транзистор мощностью 100 В, 160 А, который обеспечивает более низкое пороговое напряжение (В_th) спецификация, чем у предыдущих устройств. Более жесткие требования к пороговому напряжению очень важны при коммутации, и TK160F10N1L обеспечивает минимальное / максимальное напряжение_th 2,5 В / 3,5 В по сравнению с диапазоном 2 В / 4 В его предшественника.

Новый МОП-транзистор идеально подходит для коммутации питания в автомобилях. В этих конструкциях его более плотный V_th спецификация могла бы способствовать сокращению времени простоя в схемах с половинным мостом/H-/B6. Это связано с тем, что максимальный V_th разница между МОП-транзистором с низкой стороны и МОП-транзистором с высокой стороны меньше.

В приложениях, где МОП-транзисторы подключены параллельно, более плотный V_th спецификация приводит к улучшенному синхронному переключению между параллельными МОП-транзисторами. В результате потери при переключении будут распределены более равномерно между МОП-транзисторами. Если один МОП-транзистор включается раньше или выключается позже, чем другие МОП-транзисторы параллельно, потери при переключении концентрируются на этом одном МОП-транзисторе.

В TK160F10N1L был использован новейший полупроводниковый процесс Toshiba UMOS VIII-H. U-MOS VIII-H обладает превосходной способностью подавления пульсаций переключения и может способствовать снижению электромагнитных помех. Целевые области применения нового MOSFET включают автомобильные двигатели в системах 48 В, преобразователи постоянного тока и переключатели нагрузки.

TK160F10N1L поставляется в корпусе ДО 220 См (Вт), имеет максимальное сопротивление включению (R_DS(ВКЛ.)) номинальностью 2,4 Мом и будет соответствовать квалификационным требованиям автомобильного уровня AEC-Q101.