EPC объявляет о внедрении полевого транзистора EPC7007 с радиационной стойкостью GaN. EPC7007 имеет суммарную мощность дозы более 1 Мрад и невосприимчивость к воздействию LET 85 МэВ/(мг/см²). Эти устройства предлагаются в корпусе на основе микросхем, таком же, как и коммерческие полевые транзисторы eGaN и семейство микросхем. Упакованные версии будут доступны в EPC Space.

По сравнению с твердотельными кремниевыми устройствами с аналогичным R_ДСон, EPC7007 обеспечивает в 40 раз меньшую Q_G и Q_gd, нулевое обратное восстановление (Q_р-р). а размер в 40 раз меньше. Благодаря более высокой пробивной прочности, меньшему заряду затвора, меньшим потерям при переключении, лучшей теплопроводности и очень низкому сопротивлению включения силовые устройства на основе GaN значительно превосходят устройства на основе кремния и обеспечивают более высокие частоты переключения, что приводит к более высокой плотности мощности, более высокой эффективности и более компактным и легким схемам для критически важных космических полетов.. Устройства GaN также поддерживают более высокие уровни общего излучения и пропускания света, чем кремниевые решения.

Приложения, пользующиеся производительностью и быстрым развертыванием EPC7007, включают питание постоянным током, электроприводы, лидары, глубинные зонды и ионные двигатели для космических применений, спутников и авионики.

“Технология EPC GaN позволяет создавать новое поколение преобразователей энергии и электроприводов в космосе, работающих на более высоких частотах, с более высокой эффективностью и большей плотностью мощности, чем когда-либо достижимые ранее”. “EPC7007 предлагает дизайнерам решение с показателями качества, которые в 50 раз лучше, чем у лучших в своем классе кремниевых жестких дисков rad”, — сказал Алекс Лидоу, генеральный директор и соучредитель EPC. “EPC7007 расширяет диапазон напряжений нашего семейства жестких дисков rad до 200 В и предоставляет разработчикам решение, которое значительно меньше и дешевле кремниевого.

Перепечатано с разрешения автора.