N-канальные суперпереходные кремниевые МОП-транзисторы STPOWER MDmesh M9 и DM9 от STMicroelectronics с несколькими стоками идеально подходят для источников питания с переключаемым режимом (SMP) в приложениях от серверов центров обработки данных и инфраструктуры 5G до плоскопанельных телевизоров.

Первыми устройствами, которые будут запущены, являются 650V STP65N045M9 и 600V STP60N043DM9. Оба имеют очень низкое сопротивление включению (R_DS(вкл.)) на единицу площади, что максимизирует плотность мощности и обеспечивает компактные размеры системы. Каждый из них имеет наилучший максимальный R_DS(вкл.) (R_{DS(вкл.)макс}) в своей категории, при 45 Мом для STP65N045M9 и 43 Мом для STP60N043DM9. С очень низким зарядом затвора (Q_g), обычно 80nC при напряжении стока 400 В, эти устройства имеют наилучший R_{DS(вкл.)макс} x Q_g показатель заслуг (FoM) в настоящее время доступен.

Пороговое напряжение затвора (В_GS(th)), обычно 3,7 В для STP65N045M9 и 4,0 В для STP60N043DM9, минимизирует потери при включении и выключении по сравнению с более ранними MDmesh M5 и M6/DM6. Серии MDmesh M9 и DM9 также отличаются очень низким расходом на обратное восстановление (Q_р-р) и время обратного восстановления (t_р-р), которые дополнительно способствуют повышению эффективности и производительности переключения.

Еще одной особенностью новейших высоковольтных технологий MDmesh от ST является дополнительный процесс диффузии платины, который обеспечивает быстрое получение встроенного корпусного диода. Пиковый наклон восстановления диода (dv/dt) больше, чем для более ранних процессов. Все устройства, принадлежащие к технологии MDmesh DM9, чрезвычайно прочны и могут выдерживать dv / dt до 120 В / нс при 400 В.

Новые устройства MDmesh M9 и DM9 от ST, STP65N045M9 и STP60N043DM9, оба с питанием до 220 В, уже находятся в производстве и будут доступны дистрибьюторам к концу 2 квартала 2022 года.

Перепечатано с разрешения автора.