Altum RF представила три усилителя GaAs pHEMT MMIC для Q, V и E-диапазонов, основанных на технологии Win Semiconductors PP10-20 GaAs, которая предназначена для использования на частоте до 170 ГГц.

Эта новая технология позволяет значительно улучшить коэффициент усиления при том же рабочем напряжении для энергетические приложенияпо сравнению с платформой prior PP10-10.

Три усилителя GaAs pHEMT MMIC являются:

• Усилитель с низким уровнем шума 37-59 ГГц ARF1208: уровень шума 2,5 дБ, линейный коэффициент усиления 26,5 дБ при 50 ГГц
• 57-71 ГГц ARF1207 линейный усилитель: усиление 25 дБ, выход 22 дБм P1dB
• Усилитель с низким уровнем шума 71-86 ГГц ARF1206: коэффициент усиления 22 дБ, уровень шума 4 дБ

ARF 1208 lnaявляется голой матрицей без упаковки, предварительно подобранной до 50 и защищенной от электростатического разряда для облегчения обращения.
Для смещения LNA требуется 2 В (55 мА), в то время как для смещения драйвера требуется 4 В (80 мА). Он способен обеспечить Psat +19 дБм при использовании со смещением драйвера.
Потери при возврате на входе составляют >10 дБ, а потери при возврате на выходе составляют >10 дБ. P1dB равен 16,5 дБм. 16,5дБм — это OP1dB. При смещении LNA уровень шума 2,5 дБ составляет 50 ГГц