Компания ROHM Semiconductor анонсировала свои новые 150-вольтовые GAN HEMTs серии GNE10xxTB (GNE1040TB), которые повышают выдерживаемое напряжение затвора (номинальное напряжение затвора-источника) до ведущих в отрасли 8 В – идеально для применения в цепях питания промышленного оборудования, такого как базовые станции и центры обработки данных, наряду с устройствами связи Интернета Вещей.

В последние годы – из–за растущего спроса на серверные системы в ответ на растущее число устройств Интернета вещей — повышение эффективности преобразования энергии и уменьшение габаритов стали важными социальными проблемами, требующими дальнейшего прогресса в секторе устройств питания. Как Устройства GaN обычно обеспечивают более высокие характеристики переключения и ниже ПО сопротивлению ожидается, что по сравнению с кремниевыми устройствами они будут способствовать снижению энергопотребления различных источников питания и большей миниатюризации периферийных компонентов.

Наряду с ведущими в отрасли устройствами массового производства SiC и многофункциональными кремниевыми устройствами ROHM разработала устройства GaN, которые обеспечивают превосходную работу на высоких частотах в диапазоне среднего напряжения, что позволяет компании предлагать силовые решения для более широкого спектра применений.

В этих новых продуктах используется оригинальная структура, которая повышает номинальное напряжение затвора-источника с обычных 6 В до 8 В. В результате предотвращается ухудшение качества, даже если во время переключения возникают скачки напряжения, превышающие 6 В, что способствует улучшению конструктивного запаса и повышению надежности цепей питания. Серия GNE10xxTB предлагается в очень универсальном корпусе, отличающемся превосходным тепловыделением и большой пропускной способностью по току, что облегчает управление в процессе монтажа.

Компания ROHM выпустила устройства GaN, которые способствуют большему энергосбережению и миниатюризации, под торговой маркой EcoGaN^™ и работает над расширением линейки устройств, повышающих производительность. В дальнейшем ROHM продолжит разработку управляющих микросхем, использующих аналоговые технологии питания, такие как наноимпульсное управление^™ и модули, которые включают в себя эти микросхемы, наряду с энергетическими решениями, которые способствуют устойчивому развитию общества за счет максимизации производительности устройств GaN.

Оригинал пресс-релиза можно найтиздесь.

Этот пресс-релиз был первоначально опубликован на веб-сайте ROHM. Перепечатано с разрешения автора.