600007 г. Владимир, ул. 16 лет Октября, д. 68А, литер "Ф", этаж 2, помещение 12
+7 (4922) 53-10-31
info@skb-proton.ru

Трансформ расширяет ассортимент GaN второго поколения с более низкой сопротивляемостью

Технологии силовой преобразовательной техники

Трансформ Инк. Компания, лидер в разработке и производстве полупроводников 650V GaN (нитрид галлия), отвечающих требованиям JEDEC, сегодня объявила о своем последнем дополнении к портфолио: TPH3212PS. Устройство доступно в корпусе TO-220, имеет сопротивление включения 72 Мом и предназначено для преобразования переменного тока в постоянный и постоянного тока в переменный. При использовании внутри первого, TPH3212PS — наряду с членами его семейства — позволяет реализовать конструкции с бесконтактной коррекцией коэффициента мощности тотемного столба (PFC).

На сегодняшний день Трансформ ассортимент продукции состоит из дискретных полевых транзисторов 600 В и 650 В, охватывающих пакеты TO-220, TO-247 и PQFN88 для уровней мощности до 4,5 кВт. TPH3212PS заполняет пробел в уровне мощности в линейке продуктов второго поколения компании, в частности, между полевыми транзисторами 52 Мом и 110 Мом. В результате производители зарядных устройств, фотоэлектрических инверторов, серверов и серводвигателей получают большую гибкость дизайна с помощью этих дискретных устройств.

Компания разрабатывает свой GaN в хорошо понятных пакетах TO-XXX и PQFN88. Кроме того, компания использует высоконадежную конфигурацию cascode, которая устраняет необходимость в пользовательских драйверах и, что наиболее важно, значительно увеличивает запас прочности ворот GaN FET. Загрузите подробный технический паспорт TPH3212PS здесь. Трансформ: www.transphormusa.com