600007 г. Владимир, ул. 16 лет Октября, д. 68А, литер "Ф", этаж 2, помещение 12
+7 (4922) 53-10-31
info@skb-proton.ru

PCIM Europe 2022 – Новейшее портфолио SiC MOSFET от Infineon

Технологии силовой преобразовательной техники

PCIM Europe 2022 стартовал с интересных отраслевых прорывов, среди которых самые последние разработки Infineon Портфель МОП-транзисторов SiC.

Чтобы увеличить номинальную мощность на инвертор и снизить системные затраты, разработчики все чаще включают в свои приложения линии постоянного тока напряжением 1500 В. С другой стороны, системы на базе 1500 В постоянного тока имеют значительные конструктивные проблемы, такие как быстрое переключение при высоком постоянном напряжении, что требует многоуровневой топологии. В результате получается сложная конструкция с большим количеством деталей. Infineon Technologies AG расширила свой портфель CoolSiC, включив в него высоковольтные решения, прокладывая путь для систем солнечной энергии следующего поколения, зарядки электромобилей и накопления энергии.

То Классный портфель был расширен за счет включения 2 кВ карбид кремния (SiC) МОП-транзисторы и SiC-диод 2 кВ для применений до 1500 В постоянного тока.

PCIM Infineon.
Питер Фридрихс из Infineon на PCIM Europe 2022

“Чего мы стремимся достичь сейчас, внедряя технологии 2 КВ, так это значительно улучшить соотношение закупаемого топлива”, — сказал Питер Фридрихс, вице-президент Infineon SiC. “Это особенно важно для предоставления роботизированных решений для установки. Способность создавать отличные системы при очень высокой мощности меняет правила игры”, — добавил он.

Фридрихс также заявил, что при разработке этого нового портфеля компания учитывала некоторые требования к скорости подачи, в частности, к воздействию космических лучей.

Новый SiC MOSFET сочетает в себе низкие потери при переключении с высоким блокирующим напряжением, что делает его идеальным для систем постоянного тока напряжением 1500 В. Для включения сопротивления сток-источник новая технология CoolSiC 2 кВ имеет низкое значение RDS(on). Прочный корпус диода также поддается жесткому переключению. Благодаря космическим лучам скорость подгонки технологии в десять раз ниже, чем у SiC-МОП-транзисторов напряжением 1700 В. Устройства также просты в использовании благодаря широкому рабочему диапазону напряжения затвора.

Этот новый чип SiC MOSFET основан на передовой технологии Infineon M1H SiC MOSFET, которая была недавно выпущена. Последние достижения позволяют значительно увеличить диапазон напряжений на затворе, что улучшает сопротивление при включении матрицы.