600007 г. Владимир, ул. 16 лет Октября, д. 68А, литер "Ф", этаж 2, помещение 12
+7 (4922) 53-10-31
info@skb-proton.ru

В книге AspenCore подчеркивается роль GaN в новом мире силовой электроники

Технологии силовой преобразовательной техники

Почему широкая полоса пропускания (WBG) и почему именно GaN? Новая книга AspenCore Media, “Руководство AspenCore по нитриду галлия: новая эра для силовой электроники,” отвечает на эти вопросы и многое другое.

Полупроводниковые устройства WBGpower на основе карбида кремния и технологии GaN обеспечивают конструктивные преимущества, которые позволяют достичь ранее невообразимых результатов применения: низкий ток утечки, значительно сниженные потери мощности, более высокая плотность мощности, более высокая частота работы и способность выдерживать более высокие рабочие температуры, и все это при меньших размерах устройства, что может быть достигнуто для кремниевого эквивалента.Другими характеристиками, не менее важными, являются прочность и повышенная надежность, что приводит к увеличению общего срока службы устройства и повышению стабильности работы.

AspenCore Book Highlights GaN’s role for the New Power Electronics World

Энергоэффективность в настоящее время является стратегической инициативой во все более энергозависимых отраслях, таких как центры обработки данных, электромобили и зеленая сеть.Устройства на основе GaN держите ключ к устранению основного препятствия на пути расширения использования возобновляемых источников энергии.

С точки зрения управления энергопотреблением, все энергосистемы требуют высокого уровня интеграции для достижения требуемой переносимости. Для действительно портативных и, следовательно, работающих на батарейках систем требуется высокая энергоэффективность. Более низкое энергопотребление увеличивает время работы устройства без подзарядки или замены батарей.

GaN должен безопасно и эффективно работать в высокочастотной экосистеме, чтобы выполнять свою роль в продвижении необходимой революции в быстрой зарядке, преобразовании мощности и хранении энергии. Интеграция GaN FET, GaN analog и GaN logic позволит получить настоящую силовую микросхему GaN.

“Руководство AspenCore по нитриду галлия” теперь доступно для покупки по адресу eetimes.com/shop/