В последнем выпуске APEC и PCIM, который проводился в цифровом формате, многочисленные компании обменялись мнениями о продуктовых инновациях и результатах исследований с посетителями и участниками. От всестороннего образования, прошедшего экспертную оценку и разработанного с учетом всех аспектов отрасли, до захватывающей экспозиции, созданной для демонстрации ведущими экспонентами своих новых технологий и продуктов, APEC и PCIM — это те места, где стоит побывать, если вы хотите оставаться в курсе событий в области силовой электроники. Новости силовой электроники посетили обе виртуальные конференции, и в этой электронной книге собран отчет о технических статьях о последних анонсах.

В этом выпуске onsemi анализирует потребность в карбиде кремния в солнечной энергетике. Эффективность преобразования напрямую влияет на экономику проекта. Карбид кремния (SiC) — это технология переключения питания следующего поколения, позволяющая повысить эффективность подключения к сети, уменьшить размеры системы охлаждения и снизить общие системные затраты. Использование широкая полоса пропускания (ГВБ) материалы, такие как карбид кремния (SiC), означают, что устройства могут быть изготовлены и способны превосходить свои кремниевые эквиваленты (Si). Хотя существуют различные ключевые возможности для этой технологии, промышленные электроприводы и электромобили (EV) есть и другие рынки, которые вызывают большой интерес и внимание. Повышенная подвижность электронов SiC позволяет поддерживать более высокую скорость переключения. Эти более высокие скорости переключения означают, что связанные с ними потери при переключении будут уменьшены.

Для EVs Кейн Джиа, инженер по бизнес-маркетингу инженерной организации onsemi Solution, описывает преимущества использования SiC MOSFET в бортовых системах зарядки. Инженеры могут использовать Totem Pole PFC в своих конструкциях для повышения производительности.

Во время АТЭС многие технические замечания касались модулей SiC, накопителей энергии, экономии резервного питания в «умном доме» и новых решений для управления теплом и двигателем. Для PCIM мы представили унифицированный обзор и анализ соотношения цены и качества IGBT & GaN, SiC и кремниевых полевых транзисторов, а также ряд других аспектов технологий двигателей и источников питания.

искренне ваш,

Маурицио Ди Паоло Эмилио

Главный редактор, НОВОСТИ СИЛОВОЙ ЭЛЕКТРОНИКИ

Предварительная версия

плагин iframe v.4.5 wordpress.org/plugins/iframe/