Odyssey Semiconductor Technologies, компания по производству полупроводниковых приборов, разрабатывающая новые высоковольтные компоненты для коммутации питания на основе запатентованной технологии обработки нитрида галлия (GaN), объявила о достижении заявленной цели — номинального напряжения 1200В на полевых транзисторах с вертикальным питанием GaN (FET). Компания начнет использовать эту протестированную технологию для создания образцов продукции в 4 квартале 2022 года для запланированных на 1 квартал 2023 года клиентских и внутренних оценок.

Благодаря высокому напряжению пробоя (более чем в 10 раз выше, чем у кремния) и структуре матрицы, в которой электричество поступает вертикально на подложку устройства, GaN с вертикальной структурой позволяет создавать более тонкие и компактные устройства с превосходной производительностью. Кроме того, вертикальная структура позволяет уменьшить потери при переключении и уменьшить размеры полупроводников, поскольку в протекании тока участвует весь чип. Благодаря вертикальной структуре полевые транзисторы GaN могут работать на более высоких частотах, с низким сопротивлением и высоким напряжением пробоя.

Компания находится на пути к созданию образцов продуктов Gen1 для устройств питания 650V и 1200V в 4 квартале 2022 года, в то время как обязательства трех заказчиков по оценке продукта уже были получены, начиная с 1 квартала 2023 года. Чтобы подтвердить наличие дополнительных клиентов для получения образцов продукции, расширяется взаимодействие с клиентами.

Валидированный процесс, используемый в настоящее время для изготовления образцов продукции, планируется завершить в 4 квартале 2022 года.

Устройства питания как 650В, так и 1200В достигают высоких показателей, которые обеспечивают лучшую в отрасли эффективность при низком сопротивлении включению при высоких частотах переключения, что позволяет использовать решения с уменьшенной занимаемой площадью.

Используя вертикальную структуру, Odyssey удалось достичь напряжений, которых боковые GaN практически не могут достичь, в то время как кремний и карбид кремния могут обеспечить такой уровень производительности только при невообразимых затратах.

Компания, базирующаяся в Итаке, штат Нью-Йорк, владеет и управляет заводом по производству полупроводниковых пластин площадью 10 000 квадратных футов, который включает в себя сочетание чистых помещений класса 1000 и класса 10 000, а также оборудование для разработки и производства ультрасовременных полупроводников. Благодаря собственному литейному цеху в Итаке Odissey может быстро внедрять инновации и удовлетворять растущий рыночный спрос на силовые устройства напряжением 650 В и 1200 В.