600007 г. Владимир, ул. 16 лет Октября, д. 68А, литер "Ф", этаж 2, помещение 12
+7 (4922) 53-10-31
info@skb-proton.ru

Микросхемы на основе GaN обеспечивают быструю зарядку высокой мощности

Технологии силовой преобразовательной техники

Компания Navitas Semiconductor объявила о том, что микросхемы GaNFast power следующего поколения используются Xiaomi Redmi для сверхбыстрых зарядных устройств для смартфонов мощностью 120 Вт (Note Pro +) и 210 Вт (Note 12 Explorer).

Новые Redmi Note 12 Explorer и Redmi Note 12 Pro+, первые устройства, использующие чипсет MediaTek Dimensity 1080, имеют широкие 107,4 мм/ 6,67″ FHD + OLED-дисплеи с частотой обновления 120 Гц. Оба смартфона оснащены 200-мегапиксельной задней и 16-мегапиксельной фронтальной камерами, что является значительным достижением в области мобильного видео.

Для обеспечения такой производительности Redmi Note 12 Pro + оснащен аккумулятором емкостью 5000 мАч с зарядным устройством GaN мощностью 120 Вт, размером всего 59,4 x 56,2 x 28,8 мм (96 куб.см) и плотностью мощности 1,25 Вт / куб.см. В высокочастотном каскаде DC-DC (квазирезонансный обратный преобразователь) используется микросхема питания GaNFast с технологией GaNSenseTM (NV6136A). Для полной зарядки требуется всего 19 минут.

Революционное сверхбыстрое зарядное устройство мощностью 210 Вт для Redmi Note 12 Explorer может зарядить аккумулятор емкостью 4300 мАч до 66% всего за 5 минут и от 0% до 100% всего за 9 минут. Для получения массивной мощности 210 Вт требуется всего 67,3 x 64,3 x 30 мм (130 куб.см), что обеспечивает плотность мощности 1,62 Вт / куб. см благодаря быстрым и многофункциональным микросхемам GaNFast. Это зарядное устройство использует новаторскую гибридную архитектуру PFC (NV6127) и ACF/ QR (NV6136A). Платформа расширяет испытанную, недорогую базовую QR-систему с низким напряжением и высокой эффективностью ACF.

Нитрид галлия (GaN) — это полупроводник следующего поколения с широкой запрещенной зоной (WBG), который превосходит и заменяет силовые устройства на основе кремния, обеспечивая высокую энергоэффективность и высокую мощность при небольших размерах и легком весе.

Технология GaNFast, разработанная Navitas Semiconductor, включает в себя быстрые, эффективные и высокоинтегрированные устройства питания, которые позволяют создавать быстрые зарядные устройства GaN с уменьшенной площадью и малым весом.

Маурицио Ди Паоло Эмилио имеет степень доктора философии в области физики и является инженером по телекоммуникациям. Он работал над различными международными проектами в области исследования гравитационных волн, разработки системы термокомпенсации (TCS) и систем сбора данных и управления, а также над другими, касающимися рентгеновских микрополосков в сотрудничестве с Колумбийским университетом, высоковольтных систем и космических технологий для связи и управления двигателями с ЕКА / INFN. TCS была применена к экспериментам Virgo и LIGO, которые впервые обнаружили гравитационные волны и получили Нобелевскую премию в 2017 году. С 2007 года он является рецензентом научных публикаций для академических кругов, таких как Microelectronics Journal и IEEE journals. Кроме того, он сотрудничал с различными компаниями электронной промышленности и несколькими итальянскими и английскими блогами и журналами, такими как Electronics World, Elektor, Mouser, Automazione Industriale, Electronic Design, All About Circuits, Fare Elettronica, Elettronica Oggi и PCB Magazine, в качестве технического писателя / редактора, специализирующегося на нескольких темах электроника и технологии. С 2015 по 2018 год он был главным редактором Firmware и Elettronica с открытым исходным кодом, которые являются техническими блогами и журналами для электронной промышленности. Он участвовал во многих конференциях в качестве докладчика с ключевыми докладами по различным темам, таким как рентгеновские лучи, космические технологии и источники питания. Маурицио любит писать и рассказывать истории о силовой электронике, широкополосных полупроводниках, автомобилестроении, IoT, встраиваемых устройствах, энергетике и квантовых вычислениях. Маурицио работает редактором контента AspenCore с 2019 года. В настоящее время он является главным редактором Power Electronics News и EEWeb, а также корреспондентом EE Times. Он является ведущим PowerUp, подкаста о силовой электронике, а также промоутером и организатором виртуальной конференции PowerUp, саммита, на котором каждый год великие спикеры рассказывают о тенденциях дизайна силовой электроники. Кроме того, он внес свой вклад в ряд технических и научных статей, а также в пару книг Springer по сбору энергии и системам сбора данных и управления.