Главная » Статьи » Инженерная информация » Элементная база

Infineon выпускает IGBT с напряжением 650 В с самой высокой эффективностью для быстрой коммутации

Компания Infineon Technologies AG (Инфенион Технолоджиз АГ FSE: IFX / OTCQX: IFNNY) объявила о выпуске семейства надежных IGBT с напряжением 650 В, которые могут обеспечить самую высокую эффективность в задачах с быстрой коммутацией для автомобильных применений. IGBT серии TRENCHSTOP™5 AUTO уже сертифицированы организацией AEC-Q и имеют пониженные потери и увеличенную надежность в условиях применения, характерных для автомобильных применений (электромобили и гибридные средства транспорта), таких как бортовые системы заряда, коррекции коэффициента мощности (компенсации реактивной мощности), DC/DC и DC/AC преобразователи: импульсные источники питания и инверторы.

Новые транзисторы имеют запирающее напряжение на 50 В выше чем предыдущая серия IGBT и обеспечивает "самый высокий в своем классе" уровень коэффициента полезного действия благодаря технологии тонкой подложки TRENCHSTOP 5.

По сравнению с существующими "передовыми" технологиями, представленная технология снижает напряжение насыщения VCE(sat) на 200 мВ, почти в два раза снижая потери на переключение и почти в 2,5 раза снижая заряд затвора. Улучшенные характеристики переключения и сниженные потери проводимости так же обеспечивают пониженную температуру кристалла при переключении и температуру корпуса по сравнению с альтернативными технологиями и обеспечивают повышенную надежность полупроводникового прибора и снижение необходимой производительности системы охлаждения (радиатора или охладителя).

Используя IGBT серии TRENCHSTOP 5 AUTO, разработчики электромобилей обеспечат увеличение коэффициента полезного действия и увеличат величину пробега на одной зарядке или меньшие габариты батарей. В случае гибридных транспортных средств, увеличение коэффициента полезного действия может быть использовано для снижения общего потребления топлива и понизить выбросы СО2. Кроме этого, производительность транзисторов TRENCHSTOP 5 AUTO обеспечивает их использование в задачах, для которых ранее было характерно применение MOSFET и давая разработчикам более широкий спектр подходящих технологий полупроводниковых приборов.

Имея номинальный ток 40 А и 50 А, IGBT серии TRENCHSTOP 5 AUTO могут поставляться как в дискретном исполнении, так и в интегрированной сборке с сверх-быстрым кремниевым диодом "Rapid" от Infenion. Для каждого конкретного применения разработчик может выбрать из двух исполнений H5 HighSpeed и H5 HighSpeed FAST, в зависимости от того, какой из параметров необходимо оптимизировать: частоту переключения или коэффициент полезного действия.

Пример расчет увеличения коэффициента полезного действия

Для обычной бортовой системы компенсации реактивной мощности замена существующей "передовой" технологии на IGBT серии TRENCHSTOP 5 AUTO показала увеличение К.П.Д. с 97,5% до 97,9%. В случае мощности зарядного устройства 3,3 кВт это соответствует снижению потерь 13 Вт. Предполагая, что примерное время зарядки составляет около 5 часов, это соответствует снижению выбросов СО2 на 30 грамм за цикл зарядки.

Варианты поставки

IGBT серии TRENCHSTOP 5 AUTO поставляются в корпусе TO-247. Образцы для разработчиков доступны к поставке уже сейчас, а серийное производство будет запущено в марте 2015 года.

Категория: Элементная база | Добавил: SPetrakov (28.02.2015)
Просмотров: 368 | Рейтинг: 0.0/0
Всего комментариев: 0
avatar